作为绿色能源，太阳能电池在能源危机和环境危机的今天，突显其研究和应用价值。多晶硅薄膜太阳电池集晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池的优点于一身，是第二代太阳能电池最有力的候选者之一。 随着多晶硅薄膜晶粒尺寸的增大，太阳电池的转换效率逐渐升高。但直接沉积的薄膜的晶粒较小，需要通过再结晶技术增大晶粒。目前国内外所采用的再结晶技术主要有，常规高温炉退火、快速光热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化以及激光晶化等。本论文主要研究利用光热退火制备多晶硅薄膜。 采用PECVD方法沉积非晶硅薄膜，再用光热退火使其晶化。 首先，研究了升温速率、降温速率、沉积温度、磷掺杂等退火参数和沉积参数对晶化影响的实验规律。结果表明：(1)升温快慢影响所形成的籽晶密度。快速升温处理会使许多小晶粒来不及长大成晶核，从而有利于获得较大晶粒尺寸的多晶硅薄膜。(2)降温很快时，与金属冶炼中的淬火相似，快速降温生成小晶粒。(3)沉积薄膜时，300℃沉积的薄膜要比100℃沉积的薄膜容易晶化。(4)掺磷的非晶硅薄膜更容易晶化。 在较低温度下工作，允许选用更加廉价的衬底材料，所以在较低温度下，用较短的时间得到优质多晶硅薄膜，意义就更大。为此，在RPTA的机理分析的基础上，探讨了在较低温度下快速晶化非晶硅薄膜的可行性。实验中我们改造了快速光热退火炉，使其工作时能产生较多的短波光，发现：(1)利用改造的快速热退火炉，所需的晶化时间缩短了，所需的晶化温度有所降低，电导率提高了。(2)本征硅膜在580℃时就能晶化。(3)和原来的RPTA方式相比，晶化速率仅提高了几倍，文中给出了原因。