本论文针对纳米颗粒粒径小、比表面积大、表面能量高，作为助剂添加到有机材料中时会发生凝聚和团聚的问题，为改善其分散性能，选择纳米材料的低温等离子体表面修饰提高其分散性的研究课题，这也是当前的热点研究领域。　　 根据本课题的研究需要，自行设计沿放电管中心对称轴向的密度和电子温度分布比较均匀的感应耦合等离子体纳米材料表面修饰的实验平台。研究了用于纳米碳化硅表面改性的感应耦合氮等离子体参数及其分布，通过放电功率和气压的调整，实现等离子体密度的控制。引发接枝的等离子体密度为1017至1018m-3，电子温度与在实验范围内的输入功率和气压的关系不敏感，约几个电子伏特。　　 对纳米碳化硅进行等离子体表面处理，在其表面形成自由基引发接枝聚合甲基丙烯酸甲酯和苯乙烯。研究表明：在接枝反应条件不变的情况下，接枝率随放电功率，等离子体处理时间和接枝反应时间的增加而增加；随接枝反应温度的增加先增加后降低。通过红外光谱、X-射线光电子能谱和热重分析等分析方法研究了等离子体引发接枝的机理，结果表明：碳化硅表面是通过化学键的形式接枝上了一层聚合膜。利用X-射线衍射光谱分析被接枝改性纳米碳化硅的组织结构变化，结果表明接枝前后纳米材料的晶型保持不变，说明感应耦合等离子体对纳米材料的表明修饰不会影响材料的本身性能。通过透射电子显微镜对处理和未处理的碳化硅的分散性进行的比较性的表征，改性后纳米SiC的分散性得到明显的改善。