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本论文主要利用低温光致发光（PL）光谱研究电子辐照金刚石的光学中心的结构模型及电荷状态，实验中涉及多种金刚石，包括超纯CVD金刚石、低氮Ⅱa型金刚石、高氮HTHP及CVD金刚石、硼掺杂HTHP金刚石，以及13C、15N、11B等同位素掺杂金刚石。超纯及Ⅱa型金刚石辐照前只可观察到Raman信号；电子辐照后，除了很强GR1中心外，500~600nm范围中出现了大量的间隙原子及空位相关的光学中心，其中强度较高的3H中心、515.8nm、533.5nm及580nm中心认为很可能是由间隙原子团聚引起的，且3H中心及580nm中心具有较低的迁移能，而515.8nm中心与533.5nm中心却很难迁移出辐照区域。高氮Ib型金刚石辐照前可观察到很强的NV中心及Raman峰，而Ia型金刚石中有时可以观察到H3中心，认为是A型团聚的取代氮原子束缚一个空位引起的。电子辐照后，除了常见的3H中心及GR1中心外，还可观察到523.7nm中心及626.3nm中心。随着含氮量的增加，GR1中心减弱，而3H中心与NV-中心却增强。523.7nm中心与626.3nm中心也随着含氮量升高而增强，PL光谱证明626.3nm中心很可能是氮-间隙原子复合缺陷引起的；而关于523.7nm中心的结果比较复杂，文中没有得出明确的结论。325nm激光液氦温度下研究氮掺杂金刚石，可以观察到著名的ND1、TR12及389nm中心，其中TR12中心在509nm处存在一个高能局部模，因此认为很可能是间隙原子引起的，而389nm中心认为很可能是氮-间隙原子复合缺陷引起的。随着氮含量升高，389nm中心增强，而TR12中心减弱。电子辐照硼掺杂Ⅱb型金刚石后，主要研究DB1中心的光致变色与热致变色。部分结果表明DB1中心是由一个带正电荷的空位引起的，紫外照射后，DB1中心增强，但这种增强在200℃退火后消失，而再经紫外照射后又被重新引入。