极小尺寸MOSFET载流子输运和迁移率特性研究

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该文对ULSI器件中的量子化的反型层载流子散射机制和迁移率特性进行了系统的研究.实验和理论分析表明,室温下反型层载流子迁移率主要由三种散射机制决定:声子散射、库仑散射、表面粗糙散射.论文中给出了一个完整的Si反型层声子散射模型.该文中给出了一个完整的表面粗糙散射模型,并比较了两种表面粗糙度函数(通采用的高斯型表面粗糙度函数和近来与微观观测结果相符的指数型函数)的计算结果.该文中给出的库仑散射模型比较实用,同时也包含了载流子屏蔽效应.实验研究和理论分析表明:在强反型区,载流子迁移率唯一地决定于等效电场E<,eff>,而与衬底掺杂浓度无关.迁移率的这-特性成为全局一致性(Universality).迁移率的全局一致性在MOSFET迁移率模型的建立中有着重要的影响.如果采用实际的耗尽层电荷,在非均匀掺杂衬底的器件中,全局一致特性与均匀掺杂的器件是相同的.
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