【摘 要】
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硅是半导体工业的基础,随着器件小型化的发展,必然要求对硅和硅基纳米线进行研究.该论文主要完成以下几方面的工作:利用高温脉冲激光蒸发法合成了非晶氧化硅纳米线,在VLS生长
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硅是半导体工业的基础,随着器件小型化的发展,必然要求对硅和硅基纳米线进行研究.该论文主要完成以下几方面的工作:利用高温脉冲激光蒸发法合成了非晶氧化硅纳米线,在VLS生长机制基础上,讨论了非晶氧化硅纳米线的生长.在激光激发下,发现非晶氧化 硅纳米线发射很强的蓝光.自行设计和搭建了一套可控压CVD设备,在此设备上合居了非晶 硅纳米线,其直径随着生长条件的不同而变化.作者提出了SLS生长机制,来解释非晶硅纳 米线的生长.在特定生长工艺条件下,作者得到取向非晶硅纳米线,其长度在1微米左右, 直径约20-30纳米.利用可控压CVD设备在高掺杂的硅衬底上合成了非金刚石结构硅纳米线,其外部为一层较厚的非晶层,而芯部为晶态Si纳米线.电子衍射分析证实芯部晶态Si不是金刚石结构,确切的晶体结构尚待进一步实验测定.非金刚石结构的硅纳米线在紫外光源激发下,发较强的绿光.
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