【摘 要】
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太阳能是“取之不尽,用之不竭”的清洁和可再生能源。铜铟硒类薄膜太阳能电池具有优异的光电转换性能而受到广泛关注。CuInSe2(简称CIS)是一种直接带隙材料,其光吸收系数高达105数量级,是目前己知光吸收性最好的半导体薄膜材料之一。CIS类薄膜太阳能电池以CIS为吸收层、以CdS为缓冲层,光电转换效率较高。太阳光的最佳吸收能隙在1.45eV,CuInSe2的带隙为1.04eV,为了提高带隙宽度,通
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太阳能是“取之不尽,用之不竭”的清洁和可再生能源。铜铟硒类薄膜太阳能电池具有优异的光电转换性能而受到广泛关注。CuInSe2(简称CIS)是一种直接带隙材料,其光吸收系数高达105数量级,是目前己知光吸收性最好的半导体薄膜材料之一。CIS类薄膜太阳能电池以CIS为吸收层、以CdS为缓冲层,光电转换效率较高。太阳光的最佳吸收能隙在1.45eV,CuInSe2的带隙为1.04eV,为了提高带隙宽度,通常掺入Ga,形成CuInGaSe四元化合物。鉴于In和Ga均为昂贵金属,本文通过在CIS中掺入
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