Si基片上脉冲激光外延生长Bi<,2>Sr<,2>CaCu<,2>O<,x>/YSZ复合薄膜

被引量 : 3次 | 上传用户：songhongyu8211

【摘要】

：

在si基片上制备高质量的Bi_2Sr_2cacu_2O_x(Bi2212)薄膜是实现该高温氧化物超导材料应用于微电子器件的关键一步。但是,直接在Si单晶衬底上生长Bi2212薄膜会存在严重的晶格失配和元素互扩散问题从而降低超导性能。由于钇稳定的氧化锆(YSZ)和Si以及Bi2212几乎不发生反应,因此常用来作为过渡层使用。因此,本工作的主要目的是采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(100)基片上

【作者】

：

文波

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2008年05期

【关键词】

：

YSZ薄膜 Bi2Sr2CaCu2Ox超导薄膜脉冲激光沉积(PLD) 外延生长后退火处理

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