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在si基片上制备高质量的Bi_2Sr_2cacu_2O_x(Bi2212)薄膜是实现该高温氧化物超导材料应用于微电子器件的关键一步。但是,直接在Si单晶衬底上生长Bi2212薄膜会存在严重的晶格失配和元素互扩散问题从而降低超导性能。由于钇稳定的氧化锆(YSZ)和Si以及Bi2212几乎不发生反应,因此常用来作为过渡层使用。因此,本工作的主要目的是采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(100)基片上原位生长出具有Bi2212相的Bi2212/YSZ外延薄膜。由于在同一真空条件下沉积Bi221