多晶硅薄膜晶体管(p-Si TFT)液晶显示器可以实现高分辨率、高集成度、同时有效降低显示器的功耗,因而成为目前平板显示领域主要研究方向;而以横向晶化多晶硅为有源层的TFT由于在导电方向有更少的晶界、更低的金属杂质污染、更高的载流子迁移率而成为目前有源矩阵液晶显示领域、投影显示、OLED显示等领域研究的热点。多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成高密度陷阱.晶粒间的杂质电离产生的载流子首先被陷阱浮获,减少了参与导电的自由载流子的数目.陷阱在浮获载流子之前是电中性的,但是在俘获载流子之后就带电了,在其周围形成一个多子势区,阻挡载流子从一个晶粒向另一个晶粒运动,导致载流子迁移率下降,导致TFT的电学性能下降。而通过氢化可以大大降低多晶硅薄膜晶粒边界中的悬挂键和界面陷阱,从而显著提高TFT的场效应迁移率和开态电流,减少关态电流,提高TFT的电学性能。常规的氢化工艺是在TFT全部完成后再进行氢化处理的。那样不仅氢化时间很长而且氢离子需要穿过多层薄膜(钝化层、栅氧化层、源漏极电极接触区)才能够进入沟道层,这样就需要氢化设备提供大的功率密度,从而使得设备成本增加。本实验在沉积栅氧化层后立即用PECVD进行多晶硅的氢化处理。这样使得实验参数易于控制。并且在后面工艺中没有高温工艺,这样就使得氢化后进入多晶硅的氢不会因为高温而逸出。在利用PECVD设备进行等离子氢化的实验中,氢化参数决定了最终的氢化效果。主要的氢化参数有射频功率、氢气流量、样品温度、处理时间。本文的工作宗旨在研究探索PECVD方法中氢化参数对氢化效果的影响,制备出性能优良的TFT。本实验通过系统的改变氢化参数,氢化出一些列的TFT。对各种条件下氢化的TFT进行测量其阈值电压和开关比。并对其实验数据和现象进行分析和讨论,比较系统的总结了主要氢化参数对TFT电学性能的影响作用。实验最后,通过对氢化参数的优化选择,获得较佳的工艺条件,并在此工艺条件下制备出性能优良的TFT。