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六角钡铁氧体BaFe_(12)O_(19) (BaM)由于具有大的单轴各向异性、大的电阻率及高的磁导率而被广泛应用于如环形器等微波器件中。为了将铁氧体微波器件集成在微波电路中,必须制备高性能的微波铁氧体薄膜或厚膜。本文采用射频磁控溅射方法制备BaM铁氧体薄膜,主要研究了溅射工艺条件及退火工艺条件对BaM铁氧体薄膜微结构、磁性能的影响。由于环形器等微波器件对铁氧体薄膜厚度有一定的要求,通常需制备厚度至少10μm的铁氧体薄膜才能满足环形器的设计要求,为此本论文分别以铝(Al)、氧化镁(MgO)、和BaF