本论文主要分为两个部分：一是SiC晶须(SiCw)制备工艺的研究；二是利用自制SiC与Cu粉,采用粉末冶金方法制备SiC/Cu复合材料。采用普通的稻壳,在1450-1700℃利用反应烧结方法,制备出长度约为10-120gm的SiC晶须。实验发现高温有利于SiC晶须形核与长大,能够增大长径比,增强SiC晶须分散性。SiC晶须表面光滑、缺陷少,经过除碳、酸洗等化学处理工艺可以获得较为纯净的SiC晶须。经过XRD分析发现存在两种结构的SiC:α-SiC和P-SiC。在1450℃下,SiC晶须以VS机理生长方式进行生长,但随着温度升高,在1550℃时,SiC晶须以更高效的VLS反应机理进行形核长大。研究发现SiC晶须制备最佳温度在1550-1600℃之间。采用自制SiC粉末与电解铜粉,经过球磨混粉、冷冻干燥后,利用真空热压和热等静压的方式制备出不同SiC含量的(1wt%、3wt%、5wt%)的SiC/Cu复合材料。采用XRD和TEM分析复合材料的物相结构和界面关系；利用光学显微镜(OM)、SEM和EDX观察复合材料的微观组织和化学成分。对复合材料进行致密度、电导率、力学性能如硬度、拉伸、压缩、剪切以及摩擦磨损性能的研究。探索加工工艺、SiC含量对复合材料的组织与性能的影响。实验发现,在27.7 MPa压力下,900℃热压烧结1小时能够制备出致密度良好的SiC/Cu复合材料。SiC含量为1wt%的复合材料与其他含量的复合材料相比,组织分布最为均匀,致密度达到95.4%,抗拉强度达到了最佳,综合性能较为优越。利用TEM对复合材料进行分析,SiC与Cu基体之间并没有发生有害的界面反应,界面平直干净。通过SAED和HRTEM分析,发现了α-SiC和β-SiC。在热压制备的SiC/Cu复合材料体系中,随着SiC含量的增加,材料的致密度有所下降,孔隙率上升,组织中弥散相团聚几率增加,但材料硬度和压缩强度有所上升。当含量为5wt%SiC时,硬度达到最大值为95 HV。材料的压缩强度也达到最大为143MPa。通过曲线拟合得到孔隙率与材料的抗拉强度的关系式。利用热等静压(800℃×120MPa×1h)获得完全致密的SiC/Cu复合材料,其力学性能普遍优于热压制备SiC/Cu复合材料,材料的导电性较好。随着SiC含量增加,复合材料断裂方式由韧性断裂逐渐转变为脆性断裂。SiC颗粒的加入能产生第二相强化的效果并能使材料的塑性变形抗力增大,SiC晶须通过晶须拔出、裂纹偏转桥接、阻碍塑性变形等方式来起到增强SiC/Cu复合材料的作用。对致密度较好的SiC/Cu复合材料进行了摩擦磨损实验,结果表明,在载荷一定时,材料磨损率随着转速的增加而提高；转速一定时,材料磨损率随着载荷增加而增加,在磨损过程中形成耐磨机械混合层。随着载荷的增加,复合材料的摩擦磨损机制由磨粒磨损逐渐变为粘着磨损、氧化磨损,SiC能够提高复合材料的抗磨损能力。