【摘 要】
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本文利用VMI技术研究了Eu原子4f76p1/26d自电离态的弹射电子角分布。由于研究自电离弹射电子角分布是在自电离光谱可以提供自电离总截面的基础上进一步对其微分截面的探究，所
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本文利用VMI技术研究了Eu原子4f76p1/26d自电离态的弹射电子角分布。由于研究自电离弹射电子角分布是在自电离光谱可以提供自电离总截面的基础上进一步对其微分截面的探究，所以开展4f76p1/26d自电离态的AD研究不仅可以深化对Eu原子内部结构和特性的认识，还可为新量子理论的验证提供实验支撑。同时，通过研究Eu原子4f76p1/26d自电离态弹射电子的AD还能提供弹射电子的出射速度的方向信息。 本文采用ICE技术在前两束激光的作用下将处于基态4f76s28S07/2的Eu原子，经过中间态4f76s6p6，8P5/2，7/2，分别激发到4f76s(7S0)6d8D5/2、4f76s(7S0)6d8D7/2和4f76s(7S0)6d8D9/2Rydberg态，再调谐第三步激光的波长，将其共振激发到4f76p1/26d自电离态上布局。由于自电离态不稳定会衰变为离子和电子，使用PMT采集离子信号便得到了自电离光谱，进一步获得了自电离的总截面的信息。 根据所采集的自电离光谱的激发路径，固定前两束激光波长，等间隔定点扫描第三束激光，与此同时，电子透镜将自电离弹射电子“聚焦”到PSD上进行信号放大以及位置探测，由PS成像，最终使用CCD采集弹射电子的二维分布。这些二维分布在反阿贝尔变换的作用下，可实现弹射电子三维分布的重构。 本文根据自电离过程中存在的角动量守恒和宇称守恒以及AD系数αk的约束条件确定了AD拟合的阶数，随后采用此阶数对弹射电子的三维分布进行积分，得到弹射电子的AD，并对其随着能量的变化的规律以及物理内涵进行了讨论。
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