随着功率半导体技术的发展,通信、测控、对抗等需要高功率合成的应用场景越来越普及应用,根据雷达方程的原理,高的功率正比于作用距离,所以稳定、可靠、高效率、低成本的高量级功率的获得是所有设备成功的关键。从功率获得角度而言,区别于以往的真空体制发射管,半导体功率器件单管功率均偏小,除了利用空间合成技术进行合成外,在电路上进行合成从而直接获得高功率的应用需求也非常多,从而利用功率分配、合成来实现组合结构放大器从而实现高功率是半导体高功率设备的重要方式,高性能的功率分配/合成器的性能很大程度上影响了高功率设备的实现,甚至影响整机设备的性能。当前结合集中式固态发射机的应用需求,进行宽带高功率低损耗功率分配/合成器的研究有非常实际的工程应用意义。本课题基于公司的某实际出口产品开发需求,在学习、了解功率分配/合成器的原理的基础上,结合集中式固态发射机的实际需求特点,通过设计、计算、仿真等方法,进行了功率分配/合成的总体设计,确认了分配器、合成器的框架,开展了完整的工程研究及开发工作。研发过程中还进行了测试方法的研究,实际开展了常温、环境例行试验等测试,特别对高功率合成的效率进行了总结验证。课题结合实际雷达产品需要,采用分配器、合成器分离的方式分别实现了S波段的八路功率分配、合成器。带宽超过400MHz;分配器带内输入峰值功率最大300W,插入损耗小于1.5dB,输出各路间隔离大于20dB;合成器带内合成输出峰值功率最大可达15kW,插入损耗小于1dB,其他幅度/相位一致性指标等均达到应用需求。目前该分配器/合成器已在产品上稳定使用。