【摘 要】
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随着无线通讯技术的快速发展，对成本低，功耗低，集成度高的高性能器件和集成电路的需求大大增加，其中射频前端的集成是最为困难的。鉴于SiGeHBT(锗硅异质结双极晶体管)既具有Si器
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随着无线通讯技术的快速发展，对成本低，功耗低，集成度高的高性能器件和集成电路的需求大大增加，其中射频前端的集成是最为困难的。鉴于SiGeHBT(锗硅异质结双极晶体管)既具有Si器件成本低、集成度高的优点，又具有GaAs(砷化镓)器件的高频率特性，因此基于SiGe HBT的射频集成电路设计已成为目前的研究热点。本课题就是基于SiGe HBT低噪声放大电路的设计研究。 本论文在对无线接收系统及集成电路器件特性分析的基础上，着重对低噪声放大器(LNA)的性能：匹配，噪声，线性度，稳定性进行了分析，并介绍了一种新的宽带匹配方法。基于本文分析得出的理论和方法，设计了两个LNA电路并采用0.35um SiGe工艺对电路进行了仿真验证。其中LNA Ⅰ利用LC梯形滤波器技术可实现1G～1.65GHz的宽带匹配，噪声系数为2.45dB。LNA Ⅱ可实现多频带3种不同模式的切换，其中高增益模式的噪声系数小于1.6dB。最后本文完成了LNA版图的设计并总结了射频集成电路版图的设计要点。
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