碳化硅(SiC)陶瓷以其一系列优异的性能，已经在众多工业领域得到了广泛的应用。但由于SiC陶瓷仅次于金刚石的高硬度，使得目前SiC陶瓷的后期加工成型较为困难，而且性能优异的单相SiC陶瓷往往表现出半导体的性质，不利于其在导电领域的应用。通过调控SiC陶瓷的导电性能到100Ω·cm以下时，可以满足电火花加工的要求，从而能够对SiC陶瓷进行快速精确及复杂型面的加工。目前，对SiC陶瓷电学性能调控的研究还不完善，调控机理尚不完全明确。因此，开展SiC基复相导电陶瓷的制备与性能研究，对于SiC陶瓷实现大规模工业化制造及拓展其应用领域有着非常重要的意义。　　本论文在组分设计的基础上，通过常压固相烧结、常压液相烧结和热压液相烧结等致密化途径制备SiC基复相陶瓷，并对其相对密度、组成成分、微观结构、电学性能、力学性能之间的相互关系及作用机理进行较为系统的研究。　　首先，选用2200℃作为烧结温度考察ZrB2含量对相成分、微观结构、力学性能和电渗流效应的影响。结果发现:不同ZrB2含量的ZrB2/SiC复相陶瓷的相对密度都在99％以上，几乎完全致密。随着ZrB2含量增加，复相陶瓷的断裂韧性逐渐提高。同时，伏安特性曲线的非线性逐渐弱化，电阻率逐渐下降，这主要归因于导电路径中晶界的变化。当ZrB2含量增加到某一特定值（渗流阈值）附近，电阻率会急速下降，预示着渗流通路的形成。通过渗流模型可计算得出，该渗流阈值为10.8vol％(19.7wt％)，这一数值要比传统的导电颗粒连续连接模式的渗流阈值低很多(33vol％)，原因是该渗流通道是由ZrB2-SiC-ZrB2连接模式构成，其晶界势垒较SiC-SiC晶界势垒已显著降低而使晶界导通。　　其后，以SiC-20wt％ZrB2为原料采用常压固相烧结的方式在氩气环境下调控烧结温度制备出ZrB2/SiC复相陶瓷，研究发现调控烧结温度可以控制陶瓷的微观结构，进而可以调控陶瓷的电学性能和力学性能。对比不同烧结温度下制得的复相陶瓷发现:在1900℃烧结的样品相对密度较低，气孔相互贯通;提高烧结温度到2000℃时，样品的相对密度增加，气孔相互孤立分布，电阻率由连续气孔控制转变为晶界控制，导致电阻率大幅下降;继续提高烧结温度到2100℃时，相对密度进一步降低，SiC晶粒逐渐长大，晶界相减少，从而导致电阻率的继续下降;当烧结温度为2200℃时，烧结样品中碳的结晶度提高，包裹ZrB2晶粒的无定型层消失，晶界变清晰干净，SiC晶粒继续增大并长成柱状晶，渗流通道形成导致电阻率再次大幅下降。但烧结温度过高会造成SiC晶粒过度生长，导致材料的弯曲强度降低。因此，为保证较低的电阻率和较高的强度确定最佳的烧结温度为2200℃。　　随后，探讨氩气环境下常压液相烧结SiC陶瓷的致密化技术途径，考察了分散介质、分散剂、有无埋粉烧结及烧结温度对SiC陶瓷相对密度、组成成分、微观结构、电学性能和力学性能的影响。结果表明:水作分散介质和加入分散剂均对所分散的粉体有活化作用，降低烧结粉体的烧结活化能;液相烧结过程中，液相烧结助剂由于高温作用会挥发而损失，埋粉烧结方式可补偿这种损失;1950℃-2000℃烧结的样品具有最高的相对密度(＞97％)，在2000℃烧结的样品的弯曲强度最高;不同温度下烧结的样品的电阻率均较低，约为101Ω·cm量级，这是高温烧结过程中Al原子对SiC晶粒进行掺杂引起的。　　最后，采用热压液相烧结工艺添加氧化石墨烯GO作为第二相制备SiC基复相陶瓷，考察溶剂类型、组成成分、微观结构对电学性能和力学性能的影响。结果表明:GO在无机溶剂水中分散时，由于GO所带的-OH或-COOH等官能团可提供溶剂化力，容易在其表面形成水化膜，可保证GO片良好分散，而在有机溶剂乙醇中不存在溶剂化膜，因此GO在乙醇中容易团聚;GO的加入可提高陶瓷的弯曲强度但降低了陶瓷的断裂韧性;烧结过程中GO片在样品中沿垂直于压力的方向分布，导致陶瓷的电学各向异性增强。为考察晶粒大小对电学性能的影响，对样品进行1800℃退火处理，结果发现无埋粉退火的样品晶粒长大，并引起电阻率的降低和电性能各向异性的削弱。