【摘 要】
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该论文主要从碳化硅肖特基势垒二极管器件的制备和模型,器件工艺的优化以及紫外光探测器原型器件的设计等三个方面进行了研究.首先是肖特基势垒二极管的制备和测量.我们采用N
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该论文主要从碳化硅肖特基势垒二极管器件的制备和模型,器件工艺的优化以及紫外光探测器原型器件的设计等三个方面进行了研究.首先是肖特基势垒二极管的制备和测量.我们采用Ni作肖特基接触,多元金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触,研制出肖特基势垒二极管.其次,我们结合硅的平面工艺,对碳化硅工艺进行优化设计,摸索出一套比较成功的工艺流程,制备了性能较好的肖特基整流二极管,并对材料、版图设计进一步优化,主要措施有采用隔离环、结终端扩展、使用蜂窝状图形等,并提出蜂窝状器件的设计思想.最后,以紫外光探测器为蓝本,结合碳化硅器件的工艺技术,研制出碳化硅肖特基势垒二极管紫外光探测器的原型器件;最后提出MOS型紫外光探测器原型器件的设计.
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