KDP晶体是人们发现的最早的性能优良的非线性光学晶体材料之一。由于其具有较大的非线性光学系数，较宽的透光波段，优良的光学均匀性，易于实现相位匹配等优良性质，一直具有广泛的应用。由于激光核聚变系统的发展对KDP晶体质量、尺寸和数量的需求，提高大尺寸KDP晶体的生长速度和光学质量已经成为近年来国内外的研究热点。近年来，快速生长方法得到了很大的发展。然而，在有限的原料纯度和生长条件下，快速生长的KDP晶体的质量始终不如传统慢速生长的KDP晶体。因此，对快速生长KDP晶体的光学性质的研究仍然很有意义。　　 本论文在不同的温度下生长KDP晶体，并探讨了其光学均匀性、透过光谱。实验结果表明，随着生长温度的升高，晶体的紫外透过逐渐增大，但均匀性并没有固定的变化趋势。用等离子体发射光谱方法分析了晶体中的九种常见杂质金属离子的含量，发现晶体中的杂质金属离子含量并没有随着生长温度的提高而增加或减少。又用超显微方法观测晶体中的散射颗粒，发现晶体中的散射颗粒密度随生长温度的提高而逐渐减小。因此，认为低温区间生长的KDP晶体的紫外透过率减小并不是因为晶体中杂质金属离子含量随生长温度的降低而增大，而和晶体中散射颗粒密度随生长温度的降低而增大有关系。　　 还在不同过饱和度情况下生长了KDP晶体，并测量了其柱区和锥区的均匀性、透过光谱和激光损伤阈值。实验结果表明，随着过饱和度和生长速度的提高，晶体的紫外透过和基频及三倍频处激光损伤阈值逐渐降低，但均匀性并没有固定的变化趋势。我们用等离子体发射光谱方法测量了晶体中的九种常见杂质金属离子的含量，发现晶体中的杂质金属离子含量并没有随着生长速度的提高而增加或减少。又用用超显微方法拍摄晶体中的散射颗粒，发现晶体中的散射颗粒密度随生长速度的提高而逐渐增大。因此，认为大过饱和度和生长速度生长的KDP晶体的紫外透过率减小并不是因为晶体中杂质金属离子含量随生长速度的提高而增大，而和晶体中散射颗粒密度随生长速度的提高而增大有关系。另外，还研究了晶体激光损伤阈值和光吸收系数之间的关系，发现只有当光吸收系数之间的差异达到一定数值时，晶体的损伤阈值才随光吸收系数的增大有确定的下降趋势。