为了更好的适应电力电子的应用需求,电力半导体器件逐渐向高电压、大电流、高频、快速以及小型化方向发展,因此必须承受更高的功率密度与更高的结温,这就致使器件温度上升,从而影响器件性能与可靠性。随着工作频率不断提高和体积缩小,器件的开关损耗与电磁干扰等问题也越来越严重。器件封装结构的设计除了考虑散热特性外,寄生电感也成为当前研究的一个重点。本文根据双芯GCT(Dual-GCT)的结构特点,设计了一种压接式Dual-GCT的封装结构,并分析了该封装结构的热学特性,提取了该结构的寄生电感。主要研究内容如下:1.分析了压接式GCT的封装结构,根据Dual-GCT的结构特点及其与驱动电路板的安装要求,设计了与Dual-GCT芯片匹配的压接式封装结构,其中包括双门极组件、管座等配件。2.对所设计的Dual-GCT封装结构进行热学特性分析。利用ANSYS仿真软件,分析了该封装结构在给定功耗下的温度分布及热应力分布,结果表明该封装结构的温度分布与热应力分布接近对称,最高温度为102.2℃并位于芯片处;在热冲击与高低温循环条件下,对该封装结构进行热应力分布仿真,结果表明,封装结构的最大热应力位于封装体最外围,对其热可靠性无影响。3.为了提取双芯GCT封装结构内部门-阴极的寄生电感,在Maxwell软件中建立了封装结构的模型,对其电磁特性进行了仿真。结果表明,双芯GCT封装结构中门-阴极的寄生电感为4.36nH,该结果为双芯GCT的门极驱动电路设计提供了依据。