【摘 要】
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该课题着重研究了掺硼对纳米硅薄膜的制备、微观结构、导电性能和光带隙的影响.系统地研究了掺杂浓度等工艺参数对薄膜生长的影响,并对掺硼纳米硅薄膜的生长机理提出了尝试性
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该课题着重研究了掺硼对纳米硅薄膜的制备、微观结构、导电性能和光带隙的影响.系统地研究了掺杂浓度等工艺参数对薄膜生长的影响,并对掺硼纳米硅薄膜的生长机理提出了尝试性解释:杂质原子(硼)绝大部分是非活性的,只有很少一部分起施主作用,大部分非活性的杂质原子存在于晶粒间界.利用高分辨电镜(HREM)、Raman散射、X射线衍射、共振核反应等分析方法对掺硼纳米硅薄膜的微结构成分进行了系统研究.该文深入系统地研究了不同掺硼浓度、不同衬底温度和不同稀释比下制备的掺硼nc-Si:H薄膜在300K-500K内的变温电导曲线.文中首次研究了掺硼纳米硅薄膜的光带隙,对掺硼nc-Si:H薄膜的光吸收的测量和利用三种方法计算的光带隙结果表明:光带隙随掺硼浓度、衬底温度以及稀释比的增大而变窄.nc-Si:H薄膜中除了量子尺寸效应会引起光带隙变化外,薄膜结构无序度的增加是掺硼纳米硅薄膜光带隙减小的主要原因.
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