TC4合金表面MAO/BTESPT复合处理及其与钢电偶腐蚀行为研究

来源 :西安工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mkkkj2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
钛合金具有比强度高、耐蚀性优异等特点,在船舶及海洋装备中常被用来做螺栓与钢结构进行连接。但是,由于钛合金电极电位较高,其与钢连接时极易导致钢发生严重的电偶腐蚀而失效,造成危险事故发生及巨大的经济损失。本课题对TC4钛合金表面进行微弧氧化(MAO)与硅烷化(BTESPT)复合处理,研究其与AH36合金连接的电偶腐蚀行为,并利用COMSOL Multiphysics有限元软件建立仿真模型来预测长期电偶腐蚀变化规律。使用SEM、XRD和白光干涉仪对膜层和腐蚀产物的形貌以及物相组成进行检测和分析,并分析腐蚀机理;通过超景深显微镜测量腐蚀坑深度;使用电化学工作站研究电偶对的腐蚀倾向;利用电偶腐蚀计对腐蚀电流进行监测,通过失重试验研究其电偶腐蚀速率及对拉伸性能的影响规律。其主要研究结果如下:(1)TC4钛合金表面微弧氧化膜层生长机理及其与AH36钢连接后电偶腐蚀行为研究。结果表明:随时间增加,微弧氧化镀层孔隙直径逐渐增大至5μm,孔隙率从1.35%逐渐增加至15%。微弧氧化镀层的相组成为锐钛矿Ti O2和金红石Ti O2。硅烷化处理后,微弧氧化镀层孔隙大幅减少。浸泡实验表明:对TC4进行微弧氧化处理后与AH36钢进行连接,发生电偶腐蚀后,AH36钢的平均电偶电流密度与TC4未防护时相比,降低了96%,硅烷化复合处理后降低了98%;平均电偶腐蚀速率Kc降低了55%,硅烷化复合处理后降低了87.5%;电偶腐蚀等级由未防护的D级提高到A级;电偶对经浸泡实验后,AH36钢表面的腐蚀产物主要为Fe O(OH)、Fe2O3和Fe(OH)3。(2)研究极间距对AH36/TC4(MAO/BTESPT)电偶腐蚀行为的影响。当极间距分别为10~40mm时,平均电偶电流密度和电偶腐蚀速率随腐蚀时间增加,呈现先增加后减小的趋势。当极间距为40mm时,电偶电流最小为0.023μA,腐蚀速率最小为9.21 mm/a,腐蚀坑深度最小为1.78μm。电偶腐蚀后表面主要腐蚀产物为Fe O(OH)和Fe2O3。(3)研究阴阳极的面积比对AH36/TC4(MAO/BTESPT)电偶腐蚀行为的影响。当阴阳极的面积比分别为1:0.5、1:1、1:2、1:3时,平均电偶电流密度和电偶腐蚀速率随腐蚀时间增加,呈先增加后减小的趋势。当阴阳极的面积比为1:3时,平均电偶电流最小为0.012μA,电偶腐蚀速率最小为6.93mm/a,腐蚀坑的深度最小为2.63μm。随着面积比的增加,AH36钢表面的腐蚀产物Fe O(OH)和Fe2O3逐渐增加。(4)对TC4钛合金表面进行微弧氧化/硅烷化复合处理,通过改变AH36钢和TC4钛合金的极间距和面积比对电偶腐蚀进行研究,当微弧氧化时间为8min,并对其进行硅烷化复合处理,可显著降低AH36/TC4电偶对的电偶腐蚀敏感度,当电偶对的极间距为40mm,面积比为1:3时,电偶腐蚀程度最低。(5)采用COMSOL软件,分别对钛合金基体、钛合金经微弧氧化和钛合金经微弧氧化/硅烷化复合处理后,与AH36钢连接电偶腐蚀过程进行模拟仿真,预测长时电偶腐蚀深度扩展。结果表明:模拟所得的腐蚀深度与实验结果的误差皆小于10%,因此模型具有可靠性。利用更多时间节点的模拟结果进一步通过线性拟合得到的腐蚀速率与试验结果的误差皆小于10%,因此可用于实际结构的长期电偶腐蚀深度预测。
其他文献
现代战争中,侵彻类武器在城市攻坚和穿甲毁伤中发挥着至关重要的作用。由于高价值目标的防护能力日益增强,侵彻类武器内部集成电路模块面临着器件损伤、电路失常甚至失效等问题,严重影响了侵彻类武器的毁伤效果以及可靠性。本文以侵彻类弹药内部Si基芯片为对象,分析其在侵彻环境下的力学特性,并基于聚氨酯灌封材料研究芯片所受应力的分布特性,探索改进了两种针对于冲击过载的等效试验方法。主要研究内容如下:(1)研究Si
学位
目前,化石能源的不断消耗迫使我们去寻求一些清洁、廉价、可再生的新能源能源来替代传统化石燃料。在众多新能源中,氢能由于其高效、无毒、清洁及可再生等诸多优点被认为是满足高效清洁能源载体日益增长的需求的最佳候选者之一。然而,如何高效、安全的存储和利用氢能仍然存在着很多挑战。在这几十年来,固态储氢材料氨硼烷制氢被视作一种很有前途的制氢方法。目前氨硼烷制氢主要集中在制氢效率和制氢机理两方面。本论文采用密度泛
学位
随着第二次工业革命的结束,人类对煤、石油、天然气等化石燃料的消耗不断增加。这些化石燃料的燃烧严重破坏了生态系统中的碳循环平衡。这导致了温室效应和严重的能源危机。Haber-Bosch法是氨工业生产中应用最为广泛的人工固氮合成氨技术。但是该反应需要在高温高压下进行,需要大量的能源消耗,对环境极不友好。电化学还原法因其产物选择性比较高,对实验要求比较低,且环境友好,因此受到了广泛的关注。然而,CO2和
学位
活塞材料所使用的铝硅系合金传统的强化工艺已经较难满足工况使用要求。TiC颗粒增强铝基复合材料既有传统铝合金的低密度特点,又兼具了TiC颗粒高硬度,高熔点的优势,同时TiC能够细化α-Al颗粒,故具有良好的应用前景。然而铝硅合金中Si元素的存在,会导致TiC分解产生条状相,同时在铝熔体中由于TiC的自身特质会发生团聚现象,组织中存在长条状相Al Ti Si相。TiC稳定性差、TiC团聚性强是限制Ti
学位
随着人们对高分辨、低成本热成像技术的不断追求,硫系玻璃微透镜阵列成为迫切需要研究的一种新型光学元件,其应用可大力推动热成像技术的跨越式发展。As40Se60玻璃微透镜具有原材料价格低廉、抗腐蚀、低熔点、较高的折射率等优势,可应用于多种领域。随着红外技术应用范围不断扩大,硫系玻璃微透镜将被用于更多的领域,为现代社会的发展提供更多的可能性。目前生产硫系玻璃微透镜阵列存在效率低、成本高及技术难等问题。本
学位
铋层状压电陶瓷具有高居里温度以及良好的介电性能,在高温传感器领域具有很好的应用前景。然而,铋层状陶瓷的晶体结构是由绝缘铋氧层包夹着一定层数的氧八面体类钙钛矿层沿着c轴方向有序交替排列而成。由于该结构特性,使得铁电极化反转只能发生在二维的a-b平面内,其高的矫顽场强度使陶瓷难以充分极化,所以铋层状结构陶瓷的压电性能普遍较低(SBN陶瓷的d33=14 p C/N)。而掺杂改性是提高陶瓷电学性能的有效办
学位
钛基复合材料以高比强度、高弹性模量及高耐磨等特点,在航空航天和军事装备等领域得到广泛应用。原位自生法是制备钛基复合材料的常用方法之一,通过该方法制备增强相具有稳定性高、界面结合好、易均匀分布等特点。本文采用感应熔铸法结合原位自生技术,通过添加0.5wt%Si C(TMC1)、1wt%Si C(TMC2)、1.5wt%Si C(TMC3)、2wt%Si C(TMC4)、4wt%Si C(TMC5)、
学位
高功率密度柴油机活塞、高速列车受电弓滑板以及电磁炮导轨、电枢等部件常经受高温热源往复冲击,发生严重烧蚀时会影响工作稳定性、大幅缩短服役寿命。金属改性C/C复合材料具备比强度高、热膨胀系数低、导热导电性能优异以及自润滑等特性,是可应用于上述零部件的主要备选材料之一,然而该类材料的高频往复烧蚀行为与机理尚不明确,基体调控方法对其性能的影响鲜有报道。本文主要针对铝合金改性C/C复合材料用于上述零部件潜在
学位
表面增强拉曼散射(Surface-enhanced Raman scattering,SERS)被广泛用于食品安全和环境检测领域,用来快速、灵敏和无损地检测各类有害物质。铜基纳米结构由于具有较强的电磁特性、表面等离子体共振特性以及成本远远低于纯金或者纯银基底,成为近年来研究热点。但是,由于目前所制备的铜基底SERS性能无法满足实际应用的问题。因此,制备出高灵敏度、高均匀性和重复性好的基底是该领域重
学位
混杂增强铝基复合材料比单一颗粒增强材料具有更致密的组织和更为优良的综合性能,在工业应用中有更广阔的前景。通过传统铸造工艺制备的混杂增强复合材料容易产生颗粒团聚、材料结合性差等问题,而选区激光熔化(SLM)技术能够减少颗粒团聚、提高致密性同时实现材料的快速成形,适合制备较为复杂的零件。经过不同热处理工艺能够有效提高SLM成形试样的力学性能,但目前大多相关研究针对单一颗粒增强材料,因此有必要对混杂增强
学位