中温无铅厚膜导电银浆的制备及性能研究

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本论文以玻璃组成 SiO2-ZnO-B2O3-Bi2O3为基础成分,考察了添加剂氧化铝(Al2O3)、氧化钡(BaO)、氧化锶(SrO)、氧化锆(ZrO2)、氟化钙(CaF2)对无铅玻璃及利用该玻璃制得的银浆性能的影响,并通过XRD、TG-DSC等分析手段对玻璃微观结构及性能进行表征,得到了具有不同转变温度和膨胀系数的无铅中温玻璃样品。  利用粉体最紧密堆积理论探讨了不同粒径(0.1μm、0.4μm、1.0μm)球形银粉的级配对导电银浆电性能的影响。在此基础上获得最紧密堆积不同粒径银粉的最佳配比,然后加入到3~6μm片状银粉当中研究球片银粉搭配对银浆厚膜电性能的影响。研究了不同粒径及形貌银粉搭配对导电浆料电性能的影响。  以无铅中温低熔玻璃粉、0.4μm银粉及有机载体三相按照一定的比例混合制得导电银浆通过丝网印刷机印刷在氧化铝陶瓷基板上,考察了银粉含量、玻璃粉含量、烧结峰值温度、保温时间、升温速率等烧结工艺对导电膜层电性能及印刷性能的影响,借助扫面电子显微镜(SEM)、四角探针电阻测试仪等仪器探讨了不同烧结工艺对膜层微观组织、附着力及方阻的影响。  通过本次实验的研究,得到了转变温度为474.1~558.3℃、软化温度为527.8~625.4℃、线膨胀系数为62.4~71.0(×10-7/℃)的无铅玻璃粉,能与氧化铝陶瓷很好的匹配。利用制得的无铅玻璃粉与400nm的球形银粉搭配制得的银浆,印刷性能良好,在烧结峰值温度为600℃烧结后膜层的方阻为3.6 mΩ/□,附着力良好。而以片状银粉与球形银粉以85wt%:15wt%的比例搭配后制得的银浆,印刷性能良好,在烧结峰值温度为700℃烧结后膜层的方阻为3.78 mΩ/□,且附着力良好。
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