普遍认为能量转移(ET)过程能够提高有机/无机量子点(QDs)杂化结构器件的性能。而且,已经广泛报道了通过采用类似的混合器件设计得到了高效的量子点发光二极管(QLEDs)。然而,在器件中添加磷光小分子层改善器件性能的物理机制还不十分清楚。现在,普遍认为,器件性能的改善归因于磷光小分子可以向QDs进行能量传递。但是,该推断并未得到直接的证明。到目前为止,在倒置器件中研究人员普遍认为激子形成区是在QDs/空穴传输层(HTL)界面处,这意味着该界面极大地影响器件性能。当在QDs/HTL界面处添加一层bis(4,6-difluorophenylpyridinato-N,C2)-picolinatoiridium(FIrpic)小分子层后,FIrpic小分子层一方面改变了QDs的接触界面;另一方面,FIrpic的添加也有可能会改变器件内部的载流子分布。我们通过以下几方面对FIrpic层在器件中的作用进行分析、研究:第一,通过器件的光电特性的测试分析得到:FIrpic层的加入会改变器件中的载流子分布,但是,它并不会改变载流子的传输和注入过程。器件的电流密度几乎不发生变化,而器件的亮度却随FIrpic的加入出现了显著的增加。同时,结合器件的能级结构,我们推测FIrpic上可能形成激子,并且FIrpic上的激子把能量传递给QDs,从而改善了器件的性能。第二,为了更加深入探究器件内部载流子的分布变化以及FIrpic和QDs间的能量传递过程,我们还对器件进行了阻抗以及瞬态EL(TrEL)测试。阻抗测试可以分析器件内部积累载流子的变化,我们发现器件中加入FIrpic后,器件中的载流子积累量变多,从而证明了器件中的载流子的分布发生了变化;TrEL可以探究器件内载流子的注入、传输和积累状态,通过分析TrEL,我们直接证实了FIrpic和QDs间的能量传递过程。