LED（Light Emitting Diode，发光二极管）凭借其寿命长、能耗少、光效高等优点正逐渐取代传统的照明光源，越来越广泛的应用于照明各个领域中。而现如今，单颗LED芯片光通量较小，且价格高昂，使得LED照明难以进入普通家庭，阻碍着LED绿色光源的普及。芯片技术提升和价格走低是促进LED照明应用成本下降的关键，这推动了高光效LED芯片的研究。本课题利用几项现阶段主流的LED芯片制备的关键技术，对高光提取效率的LED芯片新型的结构进行了探索性的研究。针对困扰LED芯片的电流扩散及金属电极遮光的问题，提出了用于中大尺寸LED芯片的反射型电流阻挡层，设计制作SiO2和Ti3O5交替生长的分布式布拉格反射（DBR）结构作为LED芯片的电流阻挡层，并采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术在电流阻挡层处形成沟槽结构。实验结果表明，采用这种结构的LED芯片能将亮度提高5%以上，而LED芯片的正向电压基本维持不变。这种反射型电流阻挡层结构能够很好地改善大尺寸LED芯片的电流扩散，有效地提高LED芯片的出光效率。为了解决大功率LED芯片的表面电流密度过大的问题，着重从高压LED芯片的内部结构，电极形状，制备工艺几个方面对高压LED芯片的设计与制备进行了研究。提出了高压LED芯片侧面导光柱结构，并通过调试ICP刻蚀程序达到芯片塑形的效果。实验结果表明，采用侧面道光柱结构的高压LED芯片较普通LED芯片能够将亮度提高6%以上，且制备工艺较稳定，有利于批量生产中整体良率的提升。