二氧化锡（SnO₂）是一种禁带宽达3.8eV的绝缘体，当产生氧空位或掺杂氟（F）、锑（Sb）和铟（In）等元素后，形成n型半导体。其中，锑掺杂二氧化锡（ATO）粉体因其优良的电学和光学性能而在太阳能转化电池、智能窗、电致变色材料、抗静电塑料、涂料、纤维、显示器用防辐射抗静电涂层材料、红外吸收隔热材料、气敏元件，电极材料等方面得到了广泛的应用，是一种新型的多功能导电材料。掺氟二氧化锡（FTO）粉体广泛用于玻璃电极、信息材料和敏感材料等方面，将其制成薄膜则可大大提高纯氧化锡薄膜电导率与透光率且性能稳定。本研究采用沉淀法以氯化物为原料合成了氧化锑、氧化锡、锑掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡等纳米粉体，并以重晶石为基体，合成了锑掺杂氧化锡—重晶石复合材料（SSB）及氟掺杂氧化锡—重晶石复合材料（FSB）。以SSB复合导电粉末作为导电填料制得的导电涂料具有导电性好、分散性好、耐腐蚀、涂层表面平整等特点。以三氯化锑为原料采用水解—沉淀法合成得到了棒状形貌的，具有定向生长趋势的Sb₂O₃粉体。研究了不同的水解温度下，Sb₂O₃粉体晶型的转变，Sb₂O₃粉体由斜方和立方两种晶系转变为单一的斜方晶系。粉体的晶粒尺寸和晶胞参数随水解温度的升高发生相应的变化。对其水解合成机理进行了合理的解释，并对其电化学性能进行了初步探讨。采用三氯化锑和四氯化锡为原料以沉淀法合成了纳米ATO粉体。Sb掺入到SnO₂中，不会带来第二物相；不同温度下焙烧，晶粒生长逐步趋于完整。按一定比例以重晶石粉末为基体，采用化学共沉淀法制备Sb掺杂SnO₂-BaSO₄（SSB）复合粉体，探讨了不同实验因素条件对SSB复合导电粉末的影响，其中Sb元素在不同的掺杂量条件下，分别以Sb³⁺和Sb⁵⁺两种状态存在。在Sb的掺杂量为8mol％时，SSB导电粉末的电阻率值达到最小。采用沉淀法合成了纳米FTO粉体。不同的F掺杂量使SnO₂整体上仍维持四方锡石结构，但对晶格常数等产生了明显的影响。以重晶石为基体制备的F掺杂SnO₂-BaSO₄（FSB）复合粉体有望在抗静电领域得到广泛应用。以SSB复合导电粉末为填料，制备了复合导电涂料，可以方便地喷涂或刷涂于各种形状表面，形成导电涂层。导电填料用量为20～45％时，制备的导电涂层电阻率可调，涂层外观光滑平整，耐摩擦抗冲击力性能好。导电粉末在导电涂料中的网络结构及良好的分散性是确保导电涂层导电性能良好的关键。