氧化镓（β-Ga₂O₃）作为一种新型半导体材料,具有超宽带隙、高击穿电场、良好的热稳定性和化学稳定性等优点,是一种很有前景的半导体材料。它在气体探测器、日盲紫外光电探测器、光催化、高功率电子器件等方面都具有广阔的应用前景。本文采用机械剥离方法剥离出高质量的单晶β-Ga₂O₃微米带,并基于单根β-Ga₂O₃微米带制备出金属-半导体场效应晶体管（MESFET）和日盲紫外探测器两种器件,并分别对这两种器件的电学和光电特性进行了研究。论文获得的主要成果如下:（1）通过机械剥离法剥离出β-Ga₂O₃微米带并制备出了基于单根微米带的MESFET。当器件的沟道长度LG=1mm,源极-漏极距离LSD=4mm时,研究了不同微米带宽度对器件输出特性和转移特性的影响,发现β-Ga₂O₃微米带宽度的变化会对器件的电学特性有着显著的影响。当β-Ga₂O₃微米带的宽度增大,器件的饱和漏电流和跨导也随之增大。在漏极电压为15V时,宽度为160μm的β-Ga₂O₃微米带的饱和漏电流要比宽度为40μm的β-Ga₂O₃微米带的饱和漏电流增大4.4倍而跨导增大3.8倍。此外,器件的击穿电压超过200 V。（2）利用机械剥离出的单根β-Ga₂O₃微米带成功制备出β-Ga₂O₃基日盲深紫外探测器。通过光电测试表明,探测器对254nm的紫外光具有很强的敏感性,且器件具有很低的暗电流其值约为9.89×10-3n A。在5V偏压下,当β-Ga₂O₃微米带的长度和宽度分别为2.5mm和100μm时,器件的响应时间和恢复时间分别约为2.47s和1.06s,开关比达到了4×103,这表明该探测器具有优异的光电性能。此外,还研究了不同β-Ga₂O₃微米带宽度对器件性能的影响,测试发现当β-Ga₂O₃微米带的宽度分别为70μm、80μm、100μm时,在5V偏压下,器件的光电流值也在逐渐的增加,其值分别为9.8n A、17.5n A和40n A,而器件的响应度也随之增大,其值分别为1.12A/W、1.74A/W和3.2A/W。