GaAs基MMIC宽带功率放大器研究

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随着半导体技术的不断发展,微波单片集成电路因其体积小、成本低、噪声低、功耗小、可靠性高等优点而得到广泛应用。在现代无线通讯系统中,功率放大器起着举足轻重的作用。本论文以“GaAs基MMIC宽带功率放大器研究”为题研究设计并实现了一款6-12GHz GaAs基MMIC宽带功率放大器芯片。具体研究内容摘要如下:首先介绍了MMIC的发展历程及国内外发展现状,研究了放大器的基本工作原理,介绍了功率放大器的主要技术指标;其次对本款单片所使用的0.25umPHEMT工艺进行了研究,详细阐述了小信号、大信号模型的提取;然后具体描述了在ADS仿真环境中对本款单片的仿真设计过程,最终确定电路由三级晶体管构成,栅宽分别为:40μm*10、80μm*10、85μm*10*2,芯片版图面积为2.5mm*1.3mm;最后讲述了对功放单片的在片测试和夹具测试,给出了测试结果,结果表明,在工作频带内,小信号增益16dB,输入、输出驻波比2.0,饱和输出功率30dBm,功率附加效率20%。本款芯片各项指标均达到了设计要求。
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