【摘 要】
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利用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)技术,研究人员对在Si衬底上外延生长PbTe,作了一些研究工作.分别在Si(111)和Si(100)衬底上外延PbTe膜,并使用扫描电镜和转靶X射线
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利用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)技术,研究人员对在Si衬底上外延生长PbTe,作了一些研究工作.分别在Si(111)和Si(100)衬底上外延PbTe膜,并使用扫描电镜和转靶X射线衍射仪研究生长结果.发现在Si(111)上生长PbTe(100),比在Si(100)上生长PbTe(100)高取向膜容易.并作了PbTe(100)/Si(111)的界面TEM研究,得到PbTe(100)是平行生长在Si(111)上的结果,对Si(100)衬底上出现的柱状生长,进行了TEM研究,得出PbTe独立生长的生长特性.研究人员对生长的n-PbTe/p-Si异质结进行了I~V测量,结果显示有很好的结特性.最后,研究人员对制作的n-PbTe/p-Si异质结进行了光伏测量,结果显示有很好的光伏效应.
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