传统的半导体氧化物在有源矩阵显示晶体管、透明便携的电子设备中均有广泛的用途。近年来,一些能够溶解在水溶液中,具有生物或环境降解功能,或能够按需求物理消失、转变的电子设备引起了人们的关注。在这类瞬态电子器件中,除了生物聚合物和晶态硅以外,氧化物也成为了常用的瞬态半导体材料。与之前基于硅的瞬态电子相比,氧化物TFT具有性能高、可大面积制备,以及紫外光响应的特点,成为了瞬态晶体管领域关注的焦点。溶液法制备氧化物薄膜具备温度低,设备及工艺简单,适用于柔性衬底,能够制备大面积器件,可避免或减少真空设备的使用等优点,恰好满足了瞬态氧化物TFT制备对低温工艺的要求。在此背景下,本文通过实验探索了底栅结构的瞬态氧化物TFT的制备方法,深入研究了以氧化锌为代表的氧化物的瞬态特性,以及各种提高氧化物TFT性能的方法,主要内容如下:1)探索了氧化锌材料的溶解特性与溶解环境的关系,在高酸性(PH=3)和高碱性(PH=12)的磷酸盐缓冲溶液中,氧化锌材料均能溶解。在中性环境中,氧化锌材料很难完全溶解于磷酸盐缓冲溶液中。此外,温度越高,氧化锌材料的溶解速度越快。2)在确定氧化锌材料溶解特性后,探索了氧化锌TFT的制备工艺,利用溶液旋涂法制备出了迁移率μ为1.14cm2/V· 的氧化锌TFT器件,器件的阈值电压VTH达到15V,开关比Ion/Ioff达到5.16× 107,亚阈值摆幅SS达到590mV/dec。3)利用溶液旋涂法制备出的氧化锌TFT性能有待提高,因此探索了更高性能的TFT制备方法。首先,在前驱液中浸泡圆柱形铝颗粒进行掺杂,提升了氧化锌内载流子的浓度,将器件的迁移率提升至2.76cm2/V·s。其次,使用磁控溅射的方法对氧化锌有源层进行掺杂处理的TFT,在磁控溅射掺杂时间为3s时的迁移率达到5.28 cm2/V·s,在改善器件性能的同时大大简化了制备工艺。再者,采用溶胶凝胶法制备IGZO材料作为有源层的TFT器件,其薄膜的粗糙度得到改善优化,器件迁移率为4.2 cm2/V·s,电学性能得到提高。最后,采用溶液旋涂法制备IZO材料作为有源层的TFT器件,在300℃退火温度下得到了迁移7.56cm2/V·s的高电学性能。上述四种方法均达到了改善TFT电学特性的效果。4)采用了电子束蒸发淀积金属Mg,探索了以金属Mg作为电极的氧化锌TFT瞬态器件的溶解特性,器件在37℃的去离子水中进行溶解,在4min内Mg电极有明显溶解现象,溶解速率大约为20nm/min。氧化锌在去离子水中溶解速率约为1nm/h,器件性能逐渐失效。