本文利用电化学法和化学法,以铝阳极氧化膜（AAO）为模板,制备了一维半导体纳米线、纳米管,对其形貌和结构进行了表征,并对制备过程的影响因素、形成机理及材料性能进行了研究。通过两次阳极氧化工艺,在草酸电解液中制得高度有序的纳米孔阵列氧化铝模板。利用原子力显微镜（AFM）对AAO膜的微细结构进行了测试,发现AAO膜表面六方形纳米孔的孔端为梅花状。分别采用硬模板法和软模板法制备了纳米半导体CdS。以AAO为模板,在不除阻挡层、无预镀金的条件下,直流电沉积制备得到CdS纳米线,直径均匀,约75nm,与模板孔径一致。CdS纳米线的拉曼光谱发生蓝移,荧光光谱在573 nm处出现一明显的发射峰。以十二烷基硫酸钠（SDS）为软模板,利用紫外线光化学还原法,合成了不同形貌（球形、针状、棒状和蠕虫状）的CdS纳米材料。X射线衍射（XRD）测试表明,CdS纳米棒为六方晶型结构（纤锌矿结构）。紫外-可见光谱（UV-vis）的吸收边（λe=480 nm）相对于块体CdS发生蓝移。以AAO为模板,采用溶胶-凝胶法获得TiO₂纳米线和纳米管,通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、XRD、UV-vis对TiO₂纳米线及纳米管的形貌、结构及光性能进行了测试。结果表明,TiO₂纳米管为锐钛矿晶型,紫外-可见光谱的吸收边大约在350 nm,相对于TiO₂粉体略有蓝移。在AAO模板内制备了具有同心电缆结构的TiO₂/PAN复合纳米线和“三明治”结构PAN/TiO₂/PAN纳米线,直径约100nm,粗细均匀。TiO₂/PAN复合纳米管直径约100nm,管壁厚约40nm。