临界电流密度和超导转变温度是超导体应用的两个重要参数。本论文从这两个点出发，分别研究了缺陷对磁通钉扎力的影响，以及超导转变温度提高的因素。具有自组装柱状缺陷的外延BaFe2As2薄膜的磁通相图和钉扎机理被详细地研究了，研究结果发现这种柱状缺陷改变了磁通相图的磁通区域，通过分析钉扎能和磁通相图的变化发现这些纳米柱状缺陷可以有效的作为钉扎中心，提高c轴方向的钉扎能。由于纳米柱的大小跟相干长度类似，所以纳米柱本身可以作为正常点钉扎中心，同时纳米柱和“122”薄膜的平整的界面可以作为表面钉扎。这两种钉扎的机理都可以归结为由载流子的平均自由程波动引起的δl钉扎。对这种柱状缺陷磁通机理的研究与Dew-Hughes模型一致，表明δl钉扎是由非超导的缺陷（如我们研究中的纳米柱以及界面）引起的。　　在“11”体系中，在FexSe0.5Te0.5（0.8≤x≤1）薄膜中的铁空位对超导性质和电子性质的影响被详细研究了。在铁空位最多的样品中(x=0.8)，超导转变温度被显著提高到21 K。基于实验测量的和理论计算的结构变化结果，铁空位很有可能在薄膜样品中形成了。超导转变温度的提高与由铁空位引起的晶格张应力影响有着强烈的关系。同时铁空位的存在引入了电子载流子从而改变了载流子的类型以及提高了铁空位薄膜样品的正常态电阻的金属性。　　完整的相图以及相应的物理性能是理解铁基超导性质的重要条件。在“11”体系中块体材料由于制备的困难性导致无法建立完整的相图。这里通过脉冲激光沉积器技术成功制备出了完整Se掺杂的FeSexTe1-x(0≤x≤1)的薄膜样品。晶体结构以及微结构分析显示所有的薄膜在室温的情况下都是正交四角结构。具有重要意义的是在新发现的区域（0.6≤x≤0.8）出现了高的超导转变温度(～20 K)。具有纯相的所有Se掺杂范围的“11”体系超导相图第一次被画出来了。所有超导样品的上临界场行为也被研究了。所有样品的上临界磁场在高场区有一个向下的行为，这是由于受到自旋顺磁的影响。用WHH公式拟合上临界磁场发现自旋顺磁的强度可以通过Se含量来调节。结果显示由张应力以及掺杂影响导致的扭曲，多余的铁以及费米面的结构重构是提高自旋顺磁影响的原因。这些结果为探索新的物理以及优化超导性质提供了新的途径。