稀磁半导体材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性，可望用于未来的磁电子器件。在高速电子器件及光电子器件中，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAs)是广泛应用的材料，考虑到与现代半导体材料的兼容性，因此Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体的引入打开了在当前已存在的光电器件的基础上利用多种多样磁现象的大门。 在本论文中我们运用第一原理下的TB-LMTO方法研究稀磁半导体(Ga1-xFex)As(x=1，1/2，1/4，1/8)及(In1-xMnx)As(x=1/2，1/4，1/8)的晶格常数，磁性及电子结构。 本论文共分为以下3部分1.引言概述了稀磁半导体的历史，发展及现状。2.TB-LMTO计算方法的理论基础这部分简要介绍了基于密度泛函理论上的紧束缚线性muffin-tin轨道(TB-LMTO)方法的理论基础。 3.第一原理计算稀磁半导体(In1-xMnx)As和(Ga1-xFex)As的晶格常数，磁性及电子结构。 我们用TB-LMTO的方法研究了稀磁半导体(In1-xMnx)As和(Ga1-xFex)As的晶格常数、磁性及电子结构。通过对这两种稀磁半导体有关特性的计算，得出在不同的掺杂下，稀磁性半导体的磁态将由不同的机制来决定，并依赖于磁性离子和载流子的浓度。磁性离子的掺入可连续改变DMS的晶格常数并使材料的性质发生相应的变化，这给调解材料参数提供了一个方便的方法。