【摘 要】
：
该文围绕GaN基材料和发光二级管(LED)以及GaAs太联能电池展开了研究,取得如下结果:1、观察了GaN在生长初期形貌的发展;用统计的方法研究了形貌发展,首次在形貌特征与高度分布
论文部分内容阅读
该文围绕GaN基材料和发光二级管(LED)以及GaAs太联能电池展开了研究,取得如下结果:1、观察了GaN在生长初期形貌的发展;用统计的方法研究了形貌发展,首次在形貌特征与高度分布间建立了联系;首次建立了一个几何模型以描述形貌特征.2、首次系统地研究了高温掺铟对GaN在不同生长阶段特性的影响.3、在AlGaN/GaN异质结中获得了高迁移率的二维电子气.4、在AlGaN/GaN超晶格中,降低了镁杂质的表面电离能,提高了空穴浓度.获得了优化的超晶格结构.5、研制了异质结型蓝、绿光LED.其中绿光LED在国内为首次报道.6、研究了Al<,1-x>Ga<,x>As/GaAs太阳电池MgF<,2>/ZnS减反射膜.7、在迭层太阳电池的直流模型的研究中,提出了描述电池特性的方程组,讨论了迭层太阳电池的特性.
其他文献
由于具有光致发光、光催化及生物传感等性能，作为一个传统的体系材料——稀土磷酸盐多年来仍然是无机功能材料领域的研究热点之一，对其开展新结构新性能的研究，具有一定的研究意
研究了PEMH作为改性剂对尼龙(PA-6)体系、高密度聚乙烯(HDPE)体系、聚丙烯(PP)体系的改性效果.2.5hprPEMH改性的PA-6体系,在保持拉伸强度基本不变的情况下,可以使缺口冲击强
在被誉为"将为材料加工和制造技术带来革命性变化"的高能束流加工技术中,等离子电弧具有设备简单、实现容易和成本低廉的优点,在工业尤其是航空航天制造业重要结构和零件的生
等离子体刻蚀技术是集成电路工艺中图形转移的基本方法，随着集成电路变得越来越复杂以及关键尺寸越来越小，各向异性等离子体刻蚀的重要性在不断的增加。平行板式电容耦合等离子
该文以传统注射成型模拟的成果为基础,从理论和软件开发两方面对气体辅助注射成型充填模拟进行了深入而系统的研究.根据气体辅助注射成型充模过程的特点,对塑料熔体引入薄壁
继电保护是电力系统的安全屏障,必须加强继电保护技术监督,实行全过程管理,不断提高继电保护人员素质及运行管理水平.本文针对220kV变电站改造分析了继电保护改造施工中的危
目的研究血管内皮生长因子(vascular endothelial growth factor,VEGF)和染色体空间重组因子-1(remodeling and spacing factor 1,Rsf-1)在宫颈癌组织中的表达情况,进一步分
BaTiO以其优良的微波特性而被广泛的应用于航天和民用通讯中,但用传统固相法制备的BaTiO陶瓷易含杂质,且烧结温度高,材料的介电性能劣化,限制了BaTiO系陶瓷的应用.该课题针对