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ZnO压敏电阻具有优良的非线性,较强的抗浪涌能力和很好的工作稳定性,是压敏电阻系列中最常用的一种。随着电子技术的发展,片式压敏电阻和叠层压敏电阻在电力电子等不同领域的应用越来越广泛,技术发展的趋势要求压敏电阻能在低温烧结的情况下实现低压化。本文在大量文献的基础上,尝试研究较低压敏场强下低温烧结的实现。本文研究的主要内容包括:讨论了压敏电阻V-I特性,ZnO压敏电阻的常见组分及作用,烧结后陶瓷中的相成分,掺杂物的添加对于压敏电阻性能的影响。添加改性添加剂,观察WO3、Cr2O3、Ni2O3、Nb2O5、SiO2、H3BO3、SnO2、CaCO3、ZnC2O4和3Zn(OH)22ZnCO3掺杂及掺杂量对于电性能的影响,得到0.1mol%H3BO3掺杂的八元系ZnO压敏电阻配方。其在1000℃烧结时,E1mA=56V/mm,α=29.6,漏流为0.2μA。讨论了低温烧结的机理及实现途径,研究了三种玻璃的掺杂对于ZnO压敏电阻电性能的影响,根据其微观结构及相组成,讨论了各种玻璃掺杂及不同掺杂量的作用。得到了电性能较好的掺玻璃配方。研究了ZBG掺杂的ZnO晶粒生长动力学,得到掺玻璃后ZnO晶粒生长指数在1050℃以下近似为5,激活能为320KJ/mol;在大于1050℃烧结时生长指数近似为3,激活能约为240KJ/mol。探讨Mn,Co的添加在ZnO压敏电阻中的作用。得到不同添加量的Mn、Co对于电性能的影响,Mn、Co掺杂可以明显的改善非线性和漏流。根据Cole-Cole图分析Mn、Co掺杂对微观结构的影响,发现存在弛豫现象,且弛豫现象与烧结温度和掺杂量有关。得到压低角与烧结温度和掺杂量的关系,烧结温度升高,压低角减小;掺杂量增大,压低角先减小后增大。