巨磁阻抗效应(GMI)是指软磁材料的交流阻抗随外加磁场的改变而发生显著变化的现象。与通常使用的MR、GMR和磁通门传感器相比，GMI传感器能够同时满足高灵敏度、小尺寸、快速响应和低功耗的要求，在军工、安全、航天等领域内具有良好的应用前景并且已引起国内外研究者广泛的关注。一些发达国家己经制作出GMI效应磁传感器，有些甚至可以进行商业化生产。相比之下，国内对GMI效应的研究还处于主要对材料的GMI效应产生机理的研究，对GMI传感器的研究仍处于起步阶段。在查阅大量中、外文文献的基础上，本文主要进行了以下几方面的工作：　　 (1)对本校材料学院最新的研究成果Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶丝进行冷拔与电流退火处理，并利用阻抗分析仪分析研究了非晶丝的阻抗、磁滞特性。　　 (2)利用DDS技术设计了一种能够产生精确频率、稳定幅度的正弦信号发生器，用于为传感器提供精密的高频激励信号。　　 (3)通过比较最终确定了电压输出型的传感头设计方案。并设计了PCB线圈式和手绕线圈式两种传感头方案。　　 (4)为实现精确的模数转换，需要对传感头输出的高频调幅信号进行精确的整流和滤波，本文设计了以AD637为核心芯片的模拟信号处理电路。数字信号处理部分使用了16位的ADC-AD7705和片外高精度基准电压源REF192实现了模数转换，转换后的电压信号送入ATmega16L单片机进行处理，并由数码管显示出结果。　　 在上述工作基础上研制的巨磁阻抗传感器，有广阔的应用前景。根据传感器特性，其应用范围可分正向区间及负向区间。在0～0.1mT正向区间，传感器输出线性度较好，平均灵敏度可达476mV/Gs。在0.11～1.6mT负向区间，传感器线性度变差，但其应用范围较宽，利用Matlab进行曲线拟合后，平均灵敏度为39mV/Gs。