本文采用标准固相烧结法制备了Mn 和Co 离子掺杂的ZnO 基稀磁半导体,并对样品进行了结构表征和性能的研究。Mn 掺杂样品Zn_1-XMn_XO（x=0.05-0.10）的XRD 研究结果表明,样品中均有少量的第二相ZnMn₂O₄ 存在,因而Mn 离子在ZnO 晶格中的固溶度要低于5%;对样品Zn_0.9Mn_0.1O 的磁性研究发现,在150K 到室温的温度范围样品表现出反铁磁相互作用的现象;在低磁场其M-H 的变化类似铁磁材料的情形,但与铁磁材料不同的是随着H 的增加,M 并没有趋于饱和,而是像顺磁材料那样M 随H 的增加而线性增加,随着温度的减小,出现类铁磁M-H 变化的磁场减小,当T=10K 时,M 随H 的变化完全类似顺磁材料的变化。Co 掺杂样品Zn_1-XCo_XO（x=0.02-0.16）均为单一相,表现出n-型半导体的电学特性,电子浓度～10¹⁷/cm³,迁移率在32-58cm²/（Vs）;样品在高温区表现出与ZnO 不同电导-温度变化规律,意味着Co 在ZnO 中可能形成较深的施主能级;样品在室温的M-H 曲线表现出顺磁的特性,说明其居里温度在室温以下。