随着微波测量测量技术的日益发展,测量系统越来越多地被要求在低温甚至极低温的环境下进行测量工作。特别在半导体量子点领域中谐振腔与量子点耦合的低温测量系统中,需要同时用到两个低噪声放大器,并分别要求它们在4K极低温和室温下工作。由于量子点信号十分微弱,这就要求作为接收信号前端的放大器在抑制噪声的同时提供足够大的增益来放大量子点信号。而且不同腔的谐振频率变化较大,还需要放大器有较大的带宽。本文首先介绍了C波段宽频带低温低噪声放大器的研制意义。随后介绍了宽频带低温低噪声放大器的基础理论,并详细介绍了宽频带低温低噪声放大器的设计方法,包括稳定性、偏置网络、匹配网络的设计等。接着对宽频带低温低噪声放大器的仿真和实测结果的偏差进行分析,并引入S参数的去嵌入技术对其进行修正。最后介绍了C波段宽频带低温低噪声放大器PCB电路版图的制作、金属屏蔽盒的设计和其在室温和4K极低温下的测试结果。本文设计的C波段宽频带低温低噪声放大器采用三级联结构,其工作频段为5-6.5GHz,在室温下测量增益为30.7±1dB,输入输出反射损耗均小于-10dB,噪声系数小于1.6dB。在4K极低温的条件下测试,通过适当调整放大器的偏置电压后,其增益能达到34.3±1.3dB。