808 nm分布反馈半导体激光器的光栅制备与研究

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内置布拉格(Bragg)光栅的高功率808nm分布反馈(Distributed Feedback,DFB)半导体激光器(DFB-LD)作为Nd:YAG固体激光器理想的泵浦源,具有稳定的发射波长、窄的光谱线宽、宽的工作温度范围。可以提高泵浦效率达到50%以上。内置Bragg光栅作为DFB-LD的重要组成部分,它性能的好坏直接决定激光器的优劣。本论文通过对808nmDFB-LD进行理论分析,进而对其内置Bragg光栅的级数、周期、占空比、深度进行了优化设计,并利用全息光刻及湿法刻蚀制作出808nmDFB-LD内置Bragg光栅。制备的808nmDFB-LD中内置Bragg光栅阶数为2、光栅周期为242nm、占空比为0.23、深度为76nm,均匀且接近于矩形的光栅条纹。并对制备出的Bragg光栅进行了表征,证实了808nmDFB-LD中的内置Bragg光栅具有波长锁定、稳定单纵模激射、窄化光谱线宽等功效。
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