光子晶体是一种具有光子带隙的周期性电介质结构,落在光子带隙中的光将不能传播。光子晶体由于具有独特的调节光子传播状态的功能,成为实现光通讯和光子计算机的基础,是信息功能材料研究的前沿领域。目前,光子晶体的制备是发展光子晶体的关键,而可见光和近红外波段光子晶体的制备更是难点。将亚微米级单分散颗粒实现三维有序聚集组装成胶体晶体是制备可见光和近红外波段光子晶体的有效方法。本论文采用单分散SiO₂胶体球作为胶体光子晶体的组成基元,通过丁二酸酯化改性提高SiO₂胶体球的表面电荷密度和球间静电排斥作用,运用垂直沉积法在水溶液中自组装得到可见光和近红外波段的SiO₂光子晶体,并探讨了具有双尺寸分布SiO₂胶体球的成核和生长机理及其组装。通过X射线衍射分析仪（XRD）、傅立叶红外光谱仪（FT-IR）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱仪（XPS）、Zeta电位、紫外-可见-近红外（UV/Vis/NIR）透射光谱等分析测试手段对制备的材料、胶体晶体的结构与性能及它们之间的关联规律进行了表征和研究。利用经典St?ber法,在乙醇介质中,以氨作催化剂,正硅酸乙酯（TEOS）为硅源,通过TEOS的水解和缩聚反应制备单分散SiO₂球形颗粒。主要研究了TEOS及催化剂氨水的量对于SiO₂胶体球粒径大小和粒径偏差的影响。XRD分析表明所合成的SiO₂胶体球为无定形态。FT-IR结果表明SiO₂胶体球表面富含羟基,为接枝丁二酸进行化学改性奠定基础。SEM结果显示所合成的SiO₂胶体球粒径在292～473nm范围内、粒径相对标准偏差小于5.0%,随氨水量增加,SiO₂胶体球的粒径逐渐变大,且粒径偏差减小,同样增加TEOS的量也可以得到粒径大且粒径偏差小的SiO₂胶体球。为了提高SiO₂胶体球的表面电荷密度和球间静电排斥作用,将丁二酸通过酯化反应化学键合到SiO₂球表面上。FT-IR和XPS结果证明丁二酸一端的羧基与SiO₂胶体球表面的羟基发生了酯化反应。Zeta电位和标准氢氧化钠滴定测试结果显示,经丁二酸表面改性后,SiO₂胶体球在水溶液中的Zeta电位从?53.72mV提高到?67.46mV,表面电荷密度从0.19μC/cm2提高到0.94μC/cm2,提高了将近5倍。以粒径为292nm和473nm的SiO₂胶体球为结构基元,采用垂直沉积法在水溶液中组装可见光和近红外波段的SiO₂胶体光子晶体。利用SEM观察胶体晶体的形貌、结构特点和缺陷情况,利用UV/Vis/NIR透射光谱研究胶体晶体的不完全光子带隙效应。讨论了丁二酸改性、悬浊液浓度、胶体球粒径、组装温度、pH值、热处理温度、入射光角度对所得到的SiO₂胶体晶体形貌和光子带隙的影响。结果表明:对比未改性的SiO₂胶体球,丁二酸改性的SiO₂胶体球形成的胶体晶体有序性更好,相应的带隙深且窄;所得到的SiO₂胶体晶体为fcc周期结构,表面为（111）晶面,呈正六边形排列,在胶体晶体中存在裂纹、空位、位错等缺陷;胶体晶体的厚度直接依赖于悬浊液的浓度,随浓度增加,胶体晶体的层数相应增加,悬浊液质量分数为0.3%时可得到质量较好的SiO₂胶体晶体;胶体球粒径的大小在透射光谱中表现为带隙中心位置的不同,且符合布拉格定律,对于粒径为292nm和473nm的SiO₂胶体球,相应的光子带隙位置分别在604nm和1047nm处,而且随着入射光和胶体晶体表面法线方向的夹角变大,光子带隙发生蓝移,说明SiO₂胶体晶体的光子带隙为赝带隙;沉积温度和pH值对胶体晶体的影响较大,温度为40℃和pH值为7.0时,可得到最为紧密的六方排列形式;经过热处理后的SiO₂胶体晶体结构更为致密,缺陷减少,光子带隙发生蓝移,且变窄和加深。在制备单分散SiO₂胶体球的反应体系中引入NaCl电解质,发现了SiO₂胶体颗粒的双尺寸分布现象。合理的解释了双尺寸分布SiO₂胶体颗粒产生的原因,提出了双尺寸分布的SiO₂胶体颗粒的成核和生长机理。并利用所得到的双尺寸分布SiO₂胶体颗粒在乙醇溶液中自组装得到具有类似立方ZnS结构的SiO₂胶体晶体。本论文研究工作在以下几方面做出了创新性成果:1)提出了采用丁二酸改性SiO₂胶体球以增加其表面电荷密度的新方法;2)在水溶液中自组装制备出密排结构的SiO₂胶体晶体并对制备影响因素进行了详细分析;3)制备出具有双尺寸分布的SiO₂胶体球并加以组装。