本实验通过传统的固相合成法制备了PSN-PZT体系压电陶瓷，通过XRD分析、SEM显微结构观察、机电性能测试，通过对PSN-PZT体系压电陶瓷进行调整，讨论了Zr/Ti比、(Sb_1/2Nb_1/2)量、烧结温度、外加CeO₂和ZrO₂等对该体系影响，找出最佳性能的PSN-PZT陶瓷组成。通过实验对比不同合成温度下的样品性能，确定了PSN-PZT体系最佳合成温度为900℃，保温2h，并进行Sb₂O₃掺杂A位和B位的分组实验，确定Sb₂O₃的取代位置为钙钛矿结构的B位。通过研究Zr/Ti比和（Sb1/ 2Nb1/ 2）量对体系的影响，实验结果表明随着（Sb1/2Nb1/ 2）量的增加，四方相减少，三方相增加，准同型相界向四方相移动，综合性能逐渐提高。在烧结温度为1280℃并保温2h，(Sb_1/2Nb_1/2)量=0.06mol，Zr/Ti=52/48处得到最佳性能：d33=464pC/N，kp=54.9%，33 0εTε=2780，tanδ=1.9%。通过研究配方为Pb1-xBax（Zr0.52Ti0.48）0.98(Nb_1/2Sb_1/2)0.02O3体系来探讨不同Ba2+取代量对陶瓷结构和性能的影响，随着Ba2+取代量的增加，四方相减少，三方相增加，c/a减小，准同型相界向四方向移动，并在x=4mol%性能最佳，性能参数为：d33=467pC/N，kp=74.5%，33 0εTε=2356，tanδ=1.45%。通过研究不同CeO₂掺杂量对陶瓷结构和性能的影响，组成为Pb0.93Ba0.07（Zr0.52Ti0.48）0.94(Nb_1/2Sb_1/2)0.06O3+xwt.%CeO₂，当CeO₂掺杂量为3wt.%时，性能最佳，性能参数：d33=600pC/N，kp=68%，33 0εTε=3678，tanδ=1.55%，Tc=255℃。通过外加ZrO₂来确定球磨用的球是否对实验结果有影响。实验结果表明，在ZrO₂掺杂量x=1.0wt.%时，样品综合性能最好，d33=445pC/N，kp=47.9%，33 0εTε=2663，tanδ=2.45%。