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In2S3属于III-VI族化合物半导体,因其优良的光学性能、电学性能和光电性能,使其在光催化、光电材料、稀磁半导体、光传感器等不同领域都具有良好的应用前景。目前,利用化学法制备的In2S3薄膜普遍存在结晶质量差、成分偏离化学计量比、存在杂质相等问题。到目前为止,采用磁控溅射法制备In2S3薄膜的研究却鲜有报道。本论文采用磁控溅射法成功制备了In2S3薄膜。研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、溅射气压、诱导生长对薄膜的相结构、化学成分、微观形貌、拉曼光谱等的影响,实现了对薄膜相结构的调控。研究结果表明：1.当溅射功率超过80W时薄膜的光透过率及电流密度显著提升,结晶度提高,成分更加接近化学计量比,光学禁带宽度约为2.45eV。2.薄膜的结晶度随着沉积温度的增大得到提高,在380℃时表面形貌出现平整致密的颗粒状,薄膜成分更加接近化学计量比。3.薄膜成分随厚度增加未发生明显变化,表面形貌由最初岛状结构变得均匀致密,但厚度继续增大则会降低其平整度,同时薄膜的透过率和光学带隙发生“红移”,电导率在薄膜厚度达到1425nn时出现显著降低。4.溅射气压由O.1Pa增大到1.OPa的过程中,薄膜中主体相结构由四方相转变为立方相βIn2S3,在1.OPa获得单一立方相β-In2S3；同时薄膜的结晶质量提高,晶粒尺寸增大,在可见光波段透过率增大,吸收限蓝移。5.通过预先沉积很薄的立方相β-In2S3做种子层,诱导后续薄膜的生长,在0.1Pa-0.5Pa范围内沉积薄膜得到立方相β-In2S3薄膜。同时,薄膜结晶质量显著提高,表面形貌、光学性能一致。种子层诱导生长降低了工艺参数对薄膜生长的影响,相比于单层薄膜,诱导生长的β-In2S3薄膜结晶度、光透过率、禁带宽度均得到提高。