相变存储器作为下一代最具发展潜力的存储器,在读写速度、存储密度、功耗等方面具有显著优势,封装测试是相变存储器研发的难点之一。引线键合技术是微电子封装的主流技术,目前引线键合工艺的研究主要集中在Cu、Al、Au等传统材料厚焊盘上。相变存储器的电极焊盘材料种类多样,焊盘很薄,超声楔形键合作为引线键合的重要形式,研究相变存储器中的超声楔形键合工艺具有十分重要的实际意义和科学意义。本文围绕相变存储器中常用的Pt、Ti、Cu、TiW、Ag、Ta等六种电极材料研究其超声楔形键合工艺及参数,主要论述了以下内容:(1)介绍了键合质量评价的国际性标准,论述了探究键合表面物质的必要性。(2)制备了230nm厚度Pt电极样品,使用SigmaSEM观察键合点引线的成型特征,发现Bond 1和Bond 2的成型是一致的。(3)采用化学腐蚀法清除键合点的Al线,经SEM扫描发现接合痕由内外椭圆组成,进一步研究了键合功率和键合时间对外椭圆的长短轴的影响,发现键合功率和键合时间对外椭圆长轴几乎没有影响,对外椭圆短轴有显著影响,揭示了楔形键合劈刀的振动方向是横轴方向。(4)分别对键合点引线的中心位置和边缘位置进行EDS成分分析,发现中心位置没有IMC物质,IMC物质仅在边缘位置生成,结合接合痕的特征分析从而推断出键合仅发生在接合痕的内外椭圆之间。(5)设计了双键合点破坏性拉断力的测试方法,分别测试了相变存储器中常用的Pt、Ti、Cu、TiW、Ag、Ta等六种电极材料在不同键合功率和键合时间条件下的拉断力,并拟合了拉断力与键合功率的函数关系。(6)最后从接合面积和引线变形率分析了拉断力的影响因素,指出接合面积和引线变形率的双重影响导致了拉断力随着键合功率的增大先增后减。