Ⅱ-Ⅵ族化合物CdS和ZnO是常见的宽带隙半导体,具有重要的光电应用。它们具有较小的自旋轨道耦合能,有望获得较长的自旋弛豫时间。本论文利用时间分辨法拉第/克尔旋转光谱技术较为全面的研究了n型CdS单晶和ZnO单晶的电子自旋相干动力学,主要研究内容及成果如下:(1)系统研究了六方纤锌矿n型CdS单晶在不同温度、不同激光波长下的电子自旋相干特性。发现在低温下存在两种自旋信号,一种为较短泵浦探测波长下存在短寿命自旋信号,其自旋退相位时间约为40 ps,该自旋信号可以持续到室温,几乎不受温度的影响。另一种为较长泵浦探测波长下存在长寿命自旋信号,在温度为5 K时自旋退相位时间长达4.8 ns,随温度升高逐渐减小。经研究发现,长寿命自旋信号来自局域电子,短寿命自旋信号来自导带自由电子。(2)在室温条件下研究了六方纤锌矿n型ZnO单晶在不同波长、不同磁场、不同泵浦光激发功率、不同面内角下的电子自旋相干动力学。实验发现,电子自旋退相位时间长达5.5 ns,远长于块体ZnO在文献中已报道的室温数据。研究表明,该长寿命自旋信号来自于晶体中的局域电子。