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西藏精准脱贫户可持续生计研究
【发表日期】
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2020年06期
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AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)在高频、大功率器件领域有广泛应用,但自热效应导致的结温升高限制了 GaN材料性能的发挥,降低了器件可靠性。将GaN薄膜从原有外延衬底转移到高热导率的金刚石能够改善器件热输运性能,提高器件输出功率。为了实现高质量的GaN-金刚石集成晶片,本论文对GaN-金刚石热应力进行了仿真,并研究
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论文以雅鲁藏布江中上游流域的沙化土地为研究对象,选取1988年、1995年、2005年和2015年4期Landsat TM遥感数据,运用“3S”技术提取雅鲁藏布江中上游流域的沙化土地信息,结合研究区的社会经济数据、野外实测的调查数据和气象数据,深入分析雅鲁藏布江中上游流域2015年的沙化土地分布现状和近30年沙化土地时空动态变化及其影响因素。以期为雅鲁藏布江流域的生态环境保护与恢复、农牧业资源合理
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