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在当前快速发展的显示领域里,有机薄膜晶体管已成为最新一代柔性显示技术的核心。如何降低有机薄膜体的阈值电压,提高器件的稳定性已成为当前研究的重要课题。本文研究如何降低酞菁氧钒（VOPc）有机薄膜晶体管的阈值电压,在用酞菁氧钒作为有机薄膜体晶管材制备中的材料时,诸如有机半导体材料薄膜结晶性较差的问题,用不同材料作为有机薄膜晶体管的修饰层和用BP2T分子作为异质外延层材料作为界面修饰,并对比界面形貌的变化。改善有机半导体薄膜形貌和结晶性以降低阈值电压。通过原子力显微镜（AFM）图谱和X射线衍射（XRD）图谱对酞菁氧钒薄膜测量来对比分析不同界面修饰后对器件I-V特性的影响。这些结论有利于以后有机半导体薄膜的生长以及有机薄膜晶体管的性能的提升。论文主要包括以下两个方面:（1）研究界面修饰OTS对薄膜形貌和器件性能的影响:直接在绝缘层生长的VOPc以及OTS-18修饰后生长的VOPc。OTFTs均采用带有SiO2绝缘层的重掺杂n型硅片作为衬底,制备的器件的结构均为底栅顶接触型结构器件,对已制备的两组VOPc薄膜进行了原子力显微镜（AFM）表征测试。主要针对界面修饰后的VOPc薄膜与未进行修饰的VOPc薄膜进行测试分析,从而研究界面修饰后对VOPc薄膜形貌生长的影响。实验结果表明VOPc薄膜经过OTS-18修饰后可以形成较为连续的晶型,VOPc形貌更为平整,晶体更大,晶体间界减少。分别对各组器件的OFET转移特性曲线分别进行测试和分析,发现该器件经过OTS-18修饰后更有利于载流子的产生和传输,阈值电压显著降低,可以有效的提高器件的性能。（2）研究异质外延层对薄膜形貌和器件性能的影响:使用酞菁氧钒（VOPc）通过二次提纯后用于当为有机半导体层的材料,分别通过真空沉积技术将BP2T小分子沉积在绝缘层表面上,形成2nm、2.5nm、3nm厚度的BP2T薄膜。继续沉积20nm的VOPc薄膜在BP2T薄膜表面上,BP2T修饰层与VOPc有缘层形成同质结的修饰层结构,与单层的酞菁氧钒薄膜进行形貌对比分析。通过对比我们可以知道,BP2T修饰层确实可以改善其上生长的VOPc薄膜形貌,经过在BP2T上诱导生长的VOPc,形貌上可以看到BP2T上的VOPc形貌更为平整,晶体较大,晶体间界减少,其中经过BP2T 3nm修饰后薄膜的表面VOPc形貌最为平整,晶体最大,晶体间界最少。并对每组器件的OFET转移特性曲线分别进行测试和分析,可以发现,其中当修饰层为BP2T 2.5nm和3nm时,最有利于载流子的产生和传输,阈值电压最低。说明异质外延生长时,底层BP2T覆盖满一层时有利于提高器件的性能,降低阈值电压,其原因是界面修饰能有效提高晶体尺寸,进而降低薄膜内部的陷阱。