电容式微硅加速度传感器在许多应用中体现出的极大优势使得对它的读出电路的研究已成为一个重要课题。本文的主要目的是研究并采用标准CMOS工艺实现一种高性能的仪表放大器专用集成电路模块,该模块专用于电容式微硅传感器的一种SOC模式读出电路中。仪表放大器是一种能精确放大两输入端之间的差模信号而抑制任何共模信号,并将差分输入转换为单端输出的放大器。共模抑制比是它的最重要指标。本文研究了几种常用仪表放大器电路结构,发现多需通过激光调阻技术来提高电阻网络的匹配精度以达到高的共模抑制比。由于本论文所使用的国内工艺线没有激光调阻技术,因此本文选择了一种近年来新出现的一种新型仪表放大器电路结构,即使用第二代电流传输器(CCII)和跨阻放大器组成的电流模仪表放大器。该结构不需要任何精确匹配的电阻就能达到高的共模抑制比,并且其带宽不受带宽增益积的限制。针对读出电路这一具体应用,本文先设计了电流模仪表放大器的两个子电路:高精度的第二代电流传输器和跨阻放大器。在这两个子电路中主要进行了如下研究:1.研究了几种常用的电流镜的电流传输精度和动态范围,并最终选择有源输入校准型电流镜作为电流传输器中的电流传输电路。2.为了提高仪表放大器的电源抑制比,并得到大的开环增益,相对低的失调等性能,电流传输器的输入级和跨阻放大器中运算放大器输入级均采用折叠共源共栅放大器。3.针对仪表放大器的输出摆幅的要求,在跨阻放大器的输出级采用Rail-To-Rail结构来实现。仪表放大器的仿真结果表明,在没有激光调阻技术支持下,本文设计的电流模仪表放大器的共模抑制比能够达到97dB,电源抑制比能够达到85dB。