微纳米磁性材料磁性调控的微磁学研究

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近年来,微磁学模拟成为了探究磁性材料的重要手段之一,在研究磁性材料的宏观磁性与微观结构的关系上,以及探究材料间的相互作用等方面得到了广泛的应用。基于调制型纳米线在信息存储领域中的潜在应用价值以及磁偶极相互作用对于磁性材料实际应用的影响,本文利用OOMMF微磁学软件对于调制型纳米线以及钴基非晶丝阵列进行了仿真研究,主要内容如下:(1)对于具有一个调制结构和两个调制结构的纳米线的研究表明,通过改变纳米线调制结构的厚度、成分以及位置可以有效地调控纳米线的剩磁比和矫顽场。综合分析调制型纳米线的磁化反转过程发现,不论纳米线含有几个调制结构,纳米线均是先在调制结构形成涡旋磁化结构,随后以涡旋畴壁传播的形式完成整体的磁化反转过程。不同的是,对于仅含有一个调制结构的纳米线,调制结构两端的涡旋手性相反,而对于含有两个调制结构的纳米线,调制结构两端的涡旋手性相同。(2)通过分析N(1≤N≤4)根平行排列的钴基非晶丝阵列的轴向磁滞回线发现,随着非晶丝数量的增加,非晶丝阵列的磁滞回线呈现N个台阶和N-1个平台,并且非晶丝阵列发生第一次磁化反转所对应的外磁场逐渐向低场移动,发生最后一次磁化反转所对应的外磁场逐渐向高场移动。着重分析双丝系统发现,随着丝长度或者丝间距的增大,磁滞回线的平台宽度逐渐减小。以上现象归因于非晶丝在退磁过程中受到了周围丝的偶极场的作用。
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