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随着氮化物半导体材料外延技术的进步和人们对生长机理认识的深入，人们在InN材料特性研究方面取得了一定的进展，特别是对InN本征带隙认识的突破，高质量InN材料的带隙为0.7-0.9eV，而不是以前所认为的1.9eV，这使得窄直接带隙的InN材料非常适合于制备应用于光纤通信领域中的无污染的高性能近红外LED和LD，这很可能为光通讯的发展带来突破。然而，目前InN材料的近红外电注入发光问题并没有得到很好的解决，本论文围绕InN材料的射频等离子体分子束外延生长、特性及其近红外发光器件的制备展开了研究。本论文首先采用RF-MBE技术在Si衬底和GaN衬底上进行了InN材料的外延生长，研究了In源温度和N2流量对InN材料性质的影响，分析了不同温度的成核层及主外延层对InN材料性能的影响，得到了优化的生长条件；在c面蓝宝石衬底上初步分析了两步法及三步法外延生长对InN材料特性的影响。其次采用原位X射线光电子能谱测试对不同衬底上制备的InN样品进行了化学分析，给出了InN材料的修正俄歇参数，完善了InN材料的瓦格纳谱数据，通过对具有不同光学特性的InN材料的对比分析，表明具有较宽PL谱的InN样品具有更大比例的能量损失峰，其具有更强的表面电子积聚效应。然后我们通过在p-GaN衬底上直接外延InN材料制备了n-InN/p-GaN异质结器件，首次实现了InN材料在1573nm处的近红外电注入发光，通过对PL及EL谱图的对比分析，我们认为位于1573nm的电致发光峰来源于InN薄膜的带边辐射复合。最后我们采用RF-MBE技术制备出了n-InN nanodots/p-Si(111)异质结器件。器件具有明显的整流特性，在室温下观察到了一个覆盖较宽范围(1100nm-1700nm)的近红外电致发光光谱，并研究了其电注入发光特性。