多孔氧化铝模板具有规则排列、垂直性好和高深宽比的纳米孔洞，而且制作简单，成本低廉，常用于模板辅助法制备纳米结构，如制备纳米线、纳米棒、纳米管以及用于纳米压印技术的模板。本文主要研究了如何制备高度有序的多孔氧化铝模板，以及多孔氧化铝模板在纳米线制备和作为纳米压印模板中的应用。根据影响多孔氧化铝生长的因素制备出了能够对阳极氧化电压、电流和电解液温度进行控制的实验装置。该装置实现对电解液温度在室温至-10℃可控、精度0.1℃。利用该实验装置在阳极氧化电压40V、草酸溶液温度5℃的条件下所制备出孔径约60nm、孔间距约100nm的多孔氧化铝模板。基于多孔氧化铝模板采用电沉积的方法进行镍纳米线制备的研究。本文在不剥离铝基的条件下，采用反向电压法和阶降电流法两种方法去除多孔氧化铝阻挡层，分析这两种方法去除阻挡层的原理，并且比较两种方式的区别。阶梯电流法能很好的去除阻挡层厚度,但是孔洞底部出现分叉现象;而反向电压法只能在部分区域有效除去阻挡层。实验制备的镍纳米线利用场发射扫描电镜对其形貌进行了表征，纳米线生长均匀，直径约70nm、长度约500nm。利用两次阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝模板，以氧化铝为掩膜对硅衬底进行刻蚀，最终得到多孔硅模板。采用多孔硅为纳米压印模板利用二次压印的方式将模板的多孔结构成功的转移到了硅基片上。