Co₂Z型软磁铁氧体材料以其在甚高频段（300MHz～1GHz）使用时起始磁导率高、品质因数高、热稳定性高、损耗低等优良的软磁性能,成为片式多层电感器向高频化方向发展的理想介质材料。但Co₂Z型软磁铁氧体材料的烧结温度极高,在1250℃以上,无法与多层片式电感器中低熔点金属内电极材料共同烧结,从而限制了该材料在多层片式电感器中的应用。研究磁性能优良的可低温烧结的Co₂Z型软磁铁氧体介质材料是促使多层片式电感器向高频化方向发展的关键技术。 本文分别采用单独添加低熔点氧化物B₂O₃、复合添加B₂O₃-Bi₂O₃、添加B₂O₃与Cu²⁺离子取代结合的方法对固相反应法制备的Co₂Z进行低温烧结研究。系统地研究了低熔点氧化物添加量对Co₂Z陶瓷烧结特性、显微组织结构、磁性能的影响规律,以促进Co₂Z在高频多层片式电感器中的应用。 研究表明,采用单独添加低熔点氧化物B₂O₃可有效的将Co₂Z陶瓷的烧结温度从1250℃降低至1000℃,掺杂2.5wt%B₂O₃在980℃烧结的Co₂Z陶瓷体积密度为4.75g/cm³,相对密度为88.68%。B₂O₃的添加量≤5.0wt%时,烧结温度<1000℃时,B₂O₃不与Co₂Z基体发生化学反应,陶瓷中同时存在着Z相与M相。复合添加B₂O₃-Bi₂O₃可将Co₂Z陶瓷的烧结温度从1250℃降低至1000℃,以摩尔比1:4添入总量为3.0wt%的B₂O₃-Bi₂O₃时,980℃烧结的Co₂Z陶瓷的体积密度为4.81g/cm³,相对密度为90%;复合掺杂2.5wt%B₂O₃+xBi₂O₃（x=0.25～1.0wt%）时,980℃烧结的Co₂Z相对密度均在90%以上,当Bi203的添加量为0.75 wt%时,980℃烧结的Co₂Z陶瓷的体积密度为4.93g/cm³,相对密度为93%。以摩尔比添加总量为3.0wt%的B₂O₃-Bi₂O₃时,当两种烧结助剂的摩尔比在1:4,1:1到4:1范围内变化时,陶瓷的主晶相均为Z相,同时含有少量M相;B₂O₃-Bi₂O₃复合添加可抑制晶粒的异常长大,细化、均匀了Co₂Z陶瓷的晶粒。 添加B₂O₃与Cu²⁺取代结合的方法将Co₂Z陶瓷的烧结温度从1250℃降低至950℃。添加B₂O₃为3.0wt%的Co₁.4Cu_0.6Z陶瓷在950℃烧结时,其体积密度为5.02g/cm³,相对密度为94%。Co₁.4Cu_0.6Z在B₂O₃≤3.5wt%的添加量范围内,B₂O₃并没有与基体发生反应生成新相。陶瓷中同时存在Z相与M相,在B₂O₃≤2.5wt%的添加量范围内,材料的主晶相为Z相。同一烧结温度下,随着B₂O₃含量的增大,M相的含量也增大。掺杂2.5wt%B₂O₃的Co_1.4Cu_0.6Z陶瓷具有良好磁导率频率特性,其起始磁导率μ′=2.5、μ″<0.5,可用于高频多层片式电感器的介质材料。