β-Ga₂O₃是一种直接宽禁带n型半导体材料,其禁带宽度在4.9eV左右,具有良好的化学稳定性和热稳定性,在紫外透明电极、日盲探测器、气体传感器和平板显示等多个领域都有着广泛的应用前景。为了实现β-Ga₂O₃基纳/微米光电器件,可控和高质量β-Ga₂O₃纳/微米材料的生长是必不可少的。本文针对目前β-Ga₂O₃纳/微米材料生长所面临的难点,采用化学气相沉积（CVD）方法,在图形化蓝宝石衬底上生长出了分布密集,产量较高的β-Ga₂O₃微米带及在外电场辅助下制备出了具有网格状结构的β-Ga₂O₃纳米线,并对其形貌、结构、光学和生长机理等特性进行了研究。取得的主要成果如下:（1）利用化学气相沉积法,通过改变生长温度,在图形化蓝宝石衬底上制备出了分布密集,产量较高的β-Ga₂O₃微米带,其微米带的宽度和长度分别在1-1.5μm和2-10μm范围内。研究了不同生长温度对β-Ga₂O₃表面形貌及晶体结构的影响,发现β-Ga₂O₃微米带的最佳生长温度为900℃。此外,还对微米带的生长机理进行了研究,发现半球形图形化蓝宝石衬底对β-Ga₂O₃微米带的形成起到了至关重要的作用。另外,通过吸收光谱给出β-Ga₂O₃微米带的光学带隙在4.78eV左右。（2）采用外电场辅助CVD方法,在蓝宝石衬底上生长出了具有网格状结构的β-Ga₂O₃纳米线。研究了不同外加电压大小对β-Ga₂O₃纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响。研究发现外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响,在有外加电场作用时生长的样品其纳米线的取向性开始变好,且只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga₂O₃纳米线,并且随着外加电压的增加,纳米线分布变得更加密集、长度明显增长。此外,还发现利用这种外电场辅助的CVD方法可以明显的改善样品的晶体质量。