【摘 要】
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该报告对半导体中电子和自旋极化,半导体微腔对角度和偏振的选择性进行了深入的研究,主要工作如下:⒈研究了CdTe/CdMgTe量子阱中电子自旋极化的光学探测,发现激子发光的圆偏
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该报告对半导体中电子和自旋极化,半导体微腔对角度和偏振的选择性进行了深入的研究,主要工作如下:⒈研究了CdTe/CdMgTe量子阱中电子自旋极化的光学探测,发现激子发光的圆偏振度直接反映电子的自旋极化率,这是带负电激子的形成对电子自旋依赖所致.根据这一结论,可以确定微波引起的电子自旋翻转率.还研究了激子和带负电激子发光随温度变化的特性.⒉研究了时间分辨Faraday旋转谱的原理,并设计了光学桥检测电路.⒊理论研究了半导体微腔腔模的TE-TM分裂大小随入射角度的依赖关系.TE-TM分裂随角度增大而增大，并发现TE-TM分裂大小受腔模对Stop band中心频率偏离的影响，偏离越大，TE-TM分裂也越大.计算结果与实验上角分辨PL谱中观测到双峰分裂相符.
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